[发明专利]用于减少芯片空间的沟槽划线

权利要求书

1.一种分开半导体晶片上的芯片的方法，其特征在于包括以下步骤：

(a)提供半导体晶片；

(b)在所述晶片被选中的表面上刻蚀相交沟槽的图案，以确定所述表面的芯片区；

(c)形成凹槽，该凹槽从相对于所述选中表面的所述晶片的表面延伸，并与所述相交沟槽的所述图案对准；以及

(d)使所述凹槽延伸到所述相交沟槽的图案。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述刻蚀图案的步骤包括掩蔽所述选中的表面以确定栅格图案，然后对所述栅格图案进行刻蚀以形成所述沟槽的步骤。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述形成凹槽的步骤包括使可检测的能量从所述沟槽通过所述半导体晶片，然后形成与通过所述沟槽的所述能量对准的所述凹槽的步骤。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于所述形成凹槽的步骤包括使可检测的能量从所述沟槽通过所述半导体晶片，然后形成与通过所述沟槽的所述能量对准的所述凹槽的步骤。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于所述能量是其频率可透过所述半导体晶片的光，所述形成凹槽的步骤还包括在使光通过所述晶片前，把所述晶片粘到对所述频率的光透明的带上的步骤。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于所述能量是其频率可透过所述半导体晶片的光，所述形成凹槽的步骤还包括在使光通过所述晶片前，把所述晶片粘到对所述频率的光透明的带上的步骤。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于步骤(d)包括把相对于所述选中表面的所述晶片的所述表面固定到一粘合表面，折断所述晶片内所述凹槽和相交沟槽的所述图案之间的半导体材料区域，以形成独立的芯片，然后把所述独立芯片从所述粘合表面上取下的步骤。

8.如权利要求2所述的方法，其特征在于步骤(d)包括把相对于所述选中表面的所述晶片的所述表面固定到一粘合表面，折断所述晶片内所述凹槽和相交沟槽的所述图案之间的半导体材料区域，以形成独立的芯片，然后把所述独立芯片从所述粘合表面上取下的步骤。

9.如权利要求3所述的方法，其特征在于步骤(d)包括把相对于所述选中表面的所述晶片的所述表面固定到一粘合表面，折断所述晶片内所述凹槽和相交沟槽的所述图案之间的半导体材料区域，以形成独立的芯片，然后把所述独立芯片从所述粘合表面上取下的步骤。

10.如权利要求4所述的方法，其特征在于步骤(d)包括把相对于所述选中表面的所述晶片的所述表面固定到一粘合表面，折断所述晶片内所述凹槽和相交沟槽的所述图案之间的半导体材料区域，以形成独立的芯片，然后把所述独立芯片从所述粘合表面上取下的步骤。

11.如权利要求5所述的方法，其特征在于步骤(d)包括把相对于所述选中表面的所述晶片的所述表面固定到一粘合表面，折断所述晶片内所述凹槽和相交沟槽的所述图案之间的半导体材料区域，以形成独立的芯片，然后把所述独立芯片从所述粘合表面上取下的步骤。

12.如权利要求6所述的方法，其特征在于步骤(d)包括把相对于所述选中表面的所述晶片的所述表面固定到一粘合表面，折断所述晶片内所述凹槽和相交沟槽的所述图案之间的半导体材料区域，以形成独立的芯片，然后把所述独立芯片从所述粘合表面上取下的步骤。