[发明专利]可记录的/可重放的光记录介质及其光记录方法无效
申请号: | 96121824.X | 申请日: | 1996-11-29 |
公开(公告)号: | CN1091291C | 公开(公告)日: | 2002-09-18 |
发明(设计)人: | 许永宰;闵庆施;金钟星;盖里特·C·杜贝尔达;弗雷迪·C·H·范·威克;尼克·马斯坎特 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社;阿科左·诺贝尔公司 |
主分类号: | G11B7/24 | 分类号: | G11B7/24 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 冯谱 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 记录 重放 介质 及其 方法 | ||
1.一种光记录介质,包括:
具有一个预设沟槽的一个基片;
在所说基片上形成的一个薄金属记录膜;
设在薄金属记录膜上方的一个反射层;以及
插在所说薄金属记录膜和所说反射层之间的一个由有机材料制成的可形变的缓冲层。
2.如权利要求1的光记录介质,进一步还包括设在所说反射层上的一个保护层。
3.如权利要求1的光记录介质,其中的所说有预设沟槽的基片,所说薄金属记录膜、和所说缓冲层中至少有一个具有可形变部分。
4.如权利要求1的光记录介质,其中所说有预设沟槽的基片和所说薄金属记录膜具有形变部分,并且所说缓冲层在所说形变部分的厚度减小。
5.如权利要求1的光记录介质,其中所说有预设沟槽的基片、所说薄金属记录膜、和所说缓冲层都有形变部分。
6.如权利要求5的光记录介质,其中所说反射层有一形变部分。
7.如权利要求1的光记录介质,其中所说薄金属记录膜的复数折射率的虚数部分大于或等于0.01。
8.如权利要求1的光记录介质,其中所说薄金属记录膜的厚度范围是30-500。
9.如权利要求1的光记录介质,其中所说薄金属记录膜是由从以下这组材料选出的一种材料构成的:Au、Al、Ag、Pt、Cu、Cr、Ni、Ti、Ta、Fe、和它们的合金。
10.如权利要求8的光记录介质,其中所说薄金属记录膜是从以下这组材料选出的一种材料构成的:Au、Al、Ag、Pt、Cu、Cr、Ni、Ti、Ta、Fe和它们的合金。
11.如权利要求1的光记录介质,其中所说缓冲层的厚度范围是50-10000。
12.如权利要求1的光记录介质,其中所说缓冲层的玻璃化转变温度范围是60℃-180℃。
13.如权利要求1的光记录介质,其中所说缓冲层具有形变部分。
14.如权利要求1的光记录介质,其中所说缓冲层包含小于30%的有机染料。
15.如权利要求1的光记录介质,其中所说缓冲层包含小于30%的有机染料。
16.如权利要求1的光记录介质,其中所说反射层是由从下述这组材料的组中选出的一种材料制成的:Au、Al、Ag、Pt、Cu、Cr、Ni、Ti、Ta、Fe,和它们的合金。
17.如权利要求1的光记录介质,其中所说薄金属记录膜的导热率不大于4W/cm℃。
18.如权利要求1的光记录介质,其中所说基片有一形变部分。
19.一种在光记录介质上进行光记录的方法,包括如下步骤:
在一个有预设沟槽的基片上提供一个薄金属记录膜;
在所说薄金属记录膜上提供一个缓冲层;以及
用激光束加热设在所说有预设沟槽的基片和所说缓冲层之间的所说薄金属记录膜,以使在所说设有预设沟槽的基片、所说薄金属记录膜、和所说缓冲层中至少有一个发生了形变,借此
在形变发生的位置形成凹坑。
20.如权利要求19的在光记录介质上进行光记录的方法,其中所说加热所说薄金属记录膜的步骤进一步还包括如下步骤:
使所说缓冲层、所说薄金属记录膜、和所说有预设沟槽的基片都发生形变。
21.如权利要求19的在光记录介质上进行光记录的方法,进一步还包括如下步骤:
在所说缓冲层上提供一个反射层。
22.如权利要求21的在光记录介质上进行光记录的方法,进一步还包括如下步骤:
在所说反射层上提供一个保护层。
23.如权利要求19的在光记录介质上进行光记录的方法,其中所说缓冲层由有机材料制成。
24.如权利要求19的在光记录介质上进行光记录的方法,其中所说薄金属记录膜是由从下述这组材料中选出的一种材料制成的:Au、Al、Ag、Pt、Cu、Cr、Ni、Ti、Ta、Fe,和它们的合金。
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