[发明专利]制造低压汞放电灯的方法及所制得的低压汞放电灯无效
申请号: | 96121958.0 | 申请日: | 1996-10-30 |
公开(公告)号: | CN1158491A | 公开(公告)日: | 1997-09-03 |
发明(设计)人: | F·J·特拉克塞尔;A·J·斯帕彭 | 申请(专利权)人: | 菲利浦电子有限公司 |
主分类号: | H01J61/60 | 分类号: | H01J61/60 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 傅康,张志醒 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 低压 电灯 方法 | ||
1 一种制造低压汞放电灯的方法,包括:在辐射穿透的放电室中设置含汞的容器(20),然后将稀有气体填充在放电室中并密封;用该方法在放电室中或其附近设置维持放电的装置,在密封放电室之后对容器设置开口,利用穿过放电室的壁(11)的照射(42)使该容器打开,其特征在于:容器(20)有玻璃壁(21),用平行辐射光束使容器开口,对于该辐射光束容器壁具有的吸收系数至少为放电室壁的吸收系数的十倍量。
2 如权利要求1所述的方法,其特征在于含汞的容器(20)被设置于放电室的突出部分(12)中,并在密封放电室之后和对容器开口之前,用通过突出部分壁的照射(40)加热容器,使容器壁的玻璃软化,在其内流通的汞蒸汽压影响下膨胀,从而顶住突出部分内表面(15)上固定。
3 如权利要求1或2所述的方法,其特征在于在熔化使容器打开之前容器还含有稀有气体。
4 一种低压汞放电灯,包括辐射穿透的放电室(10),它含有包括汞的离子填充物并以气密方式密封;具有开口(24)的容器(20)设置于放电室中;灯还设置有在被放电室包围的放电空间(13)中维持放电的装置(31A,31B);其特征在于:容器(20)容易得到从放电室(10)外部穿过放电室壁(11)入射的、至少波长为100nm~5μm的辐射,容器(20)具有相对所述辐射其吸收系数至少为放电室壁(11)的吸收系数的十倍量的玻璃壁(21)。
5 如权利要求4所述的低压汞放电灯,其特征在于容器(20)的壁(21)较强地吸收波长位于约0.9μm~约1.5μm间隔中的辐射。
6 如权利要求5所述的低压汞放电灯,其特征在于容器(20)的壁(21)透射部分可见光谱。
7 如权利要求4、5和6中任一项所述的低压汞放电灯,其特征在于容器(20)位于放电室(10)的突出部分(12)。
8 如权利要求7所述的低压汞放电灯,其特征在于容器(20)用凸圆部(22)将其夹持固定于突出部分(12)中。
9 如权利要求8所述的低压汞放电灯,其特征在于容器(120)有面对(R)方向的开口(124),并使容器(120)沿所述R方向相邻于开口(124)凸起。
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