[发明专利]氧化物半导体热敏电阻器的制造方法

权利要求书

1．氧化物半导体热敏电阻器的制造方法，其特征在于，该热敏电阻是以钴、锰、镍、铁的硝酸盐或醋酸盐为原料，采用液相共沉淀法制备材料粉体，加入乳化剂OP进入清洗，然后将粉体进行分解、研磨、预烧，再进行预成型，冷等静压高湿烧结制成；原材料各组份配比为(摩尔百分比％)

钴35-40    锰30-40    镍12-16    铁2-6

2．氧化物半导体热敏电阻器的制造方法，其特征在于，该制造方法为：以分析纯(摩尔百分比％)钴35-40、锰30-40、镍12-16、铁2-6的硝酸盐或醋酸盐为原材料，采用液相共沉淀法制备材料粉体的沉淀液，沉淀液为浓度1M的钴、锰、镍、铁盐溶液，在剧烈的搅拌下，将沉淀剂均匀加入沉淀液中，然后在沉淀液中加入乳化剂OP，沉淀完成后反复加入去离子水进行清洗交对溶液进行超声处理，烘干，磨细，预烧结。

3．根据权利要求2所述氧化物半导体热敏电阻器的制造方法，其特征在于，沉淀剂浓度为1.5-2M的碳酸氢铵溶液，沉淀剂的加入量为沉淀液的2-2.5倍(容量比)。

4．根据权利要求2所述的氧化物半导体热敏电阻器的制造方法，其特征在于，乳化剂OP的加入量1％(重量)，在材料烘干、磨细后，先在400-500℃热分解5-10小时，经过研磨后再在650-800℃进行预烧结，将材料预成型为φ50mm左右柱体后进行冷等静压，压强为2.0-3.5T/cm²，然后在1180-1200℃烧结2小时，升降温度控制在1-1.5℃/分钟，再进行切片、两面涂烧AgPd电极、划片，即为芯片，然后再将芯片采用按玻封工艺玻封，温度控制在650-700℃范围内，玻封时间控制在25分钟内。