[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征是具备有：

Si衬底(1)；

形成于该Si衬底上的，由GaAs构成的应力吸收层；

形成于该应力吸收层上边的，由组成为Al_xGa_1-x-yIn_yN(0≤x≤1，0≤y≤1)的化合物构成的缓冲层；

形成于该缓冲层上边的，组成为Al_xGa_1-x-yIn_yN(0≤x≤1，0≤y≤1)的化合物半导体层。

2.权利要求1中所述的半导体器件，其特征是：

上述应力吸收层的厚度为1nm～300nm。

3.一种半导体器件，其特征是具备：

Si衬底；

在该Si衬底上的一部分区域上形成的、由其键合数比Si的键合数小的材料构成的低键合力层；

在该低键合力层上及上述Si衬底上的已形成了该低键合力层的区域以外的区域上边形成的、由GaAs构成的应力吸收层；

在该应力吸收层上边形成的、其组成为Al_xGa_1-x-yIn_yN(0≤x≤1，0≤y≤1)的化合物半导体层。

4.权利要求3所述的半导体器件，其特征是：

在上述应力吸收层上边，形成由其组成为Al_xGa_1-x-yIn_yN(0≤x≤1，0≤y≤1)的化合物构成的缓冲层，在该缓冲层上边形成上述化合物半导体层。

5.权利要求3所述的半导体器件，其特征是：

上述低键合力层由SiOx，SiNx，或SiON构成。

6.一种半导体器件，其特征是具备：

Si衬底；

在该Si衬底上边形成的、由As构成的应力吸收层；

在该应力吸收层上边形成的、由其组成为Al_xGa_1-x-yIn_yN(0≤x≤1，0≤y≤1)的化合物构成的缓冲层；

在该缓冲层上边形成的、其组成为Al_xGa_1-x-yIn_yN(0≤x≤1，0≤y≤1)的化合物半导体层。

7.权利要求1，3或6的任一权利要求中所述的半导体器件，其特征是：

上述Si衬底的一个主面是{100}面或者{111}面。

8.权利要求1，3或6中的任一项权利要求所述的半导体器件，其特征是：

上述Si衬底，上述应力吸收层和上述缓冲层含有用于形成导电型的杂质；

上述化合物半导体层含有用于形成导电型的杂质并构成光-电转换或电-光转换器件构造，而且上述x和y具有与上述器件构造相应的值。

9.一种半导体器件制造方法，其特征是具有下述工序，

在Si衬底上边形成由具有无定形或多晶构造的GaAs或As构成的应力吸收层的工序；

在上述应力吸收层上在不会使该应力吸收层分解的温度下，形成由其组成为Al_xGa_1-x-yIn_yN(0≤x≤1，0≤y≤1)的化合物构成的缓冲层的工序；

把上述应力吸收层和上述缓冲层之内的至少缓冲层的一部分，部分地变换成单晶的工序；

在上述已部分地变换成单晶的缓冲层上边，形成由单晶构成的、组成为Al_xGa_1-x-yIn_yN(0≤x≤1，0≤y≤1)的化合物半导体层的工序。

10.权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征是：

上述应力吸收层由GaAs构成，且该应力吸收层在200℃～600℃下形成。

11.权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征是：

上述应力吸收层由As构成，且该应力吸收层在室温～550℃下形成。