[发明专利]加速度传感器及其制造方法无效
申请号: | 96122837.7 | 申请日: | 1996-10-09 |
公开(公告)号: | CN1090324C | 公开(公告)日: | 2002-09-04 |
发明(设计)人: | 大土哲郎;杉本雅人;小掠哲义;富田佳宏;川崎修 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G01P15/09 | 分类号: | G01P15/09;H01L41/083;H01L41/113 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 程天正,叶恺东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加速度 传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种加速度传感器,其特征在于:包括具有相对的2个主面的2个压电基板的上述主面之间直接接合而构成的压电元件、由在上述压电元件的相对的2个主面上形成的电极构成的机-电变换元件和支持上述机-电变换元件的支持体,上述2个压电基板的主面之间通过使上述2个压电基板的构成原子通过氧原子、羟基或氧原子和羟基相互结合而直接接合。
2.按权利要求1所述的加速度传感器,其特征在于:2个压电基板以极化轴的方向成为相互相反的方向进行接合。
3.按权利要求1所述的加速度传感器,其特征在于:2个压电基板通过缓冲层直接接合。
4.按权利要求1所述的加速度传感器,其特征在于:机-电变换元件的一端支持在支持体上。
5.按权利要求1所述的加速度传感器,其特征在于:机-电变换元件的两端支持在支持体上。
6.按权利要求1所述的加速度传感器,其特征在于:压电基板由晶体结构3m族的单晶压电材料构成,以上述单晶压电材料的晶体轴为X轴、Y轴、Z轴时,上述压电基板的主面垂直于与Y轴的夹角为+129°-+152°的轴并且包含X轴,联接上述压电基板的重心和支持体的中心的连线垂直于X轴。
7.按权利要求1所述的加速度传感器,其特征在于:压电基板由晶体结构3m族的单晶压电材料构成,以上述单晶压电材料的晶体轴为X轴、Y轴、Z轴时,上述压电基板的主面垂直于与Y轴的夹角为-26°~+26°的轴并且包含X轴,联结上述压电基板的重心和支持体的中心的连线垂直于X轴。
8.按权利要求1所述的加速度传感器,其特征在于:压电基板由晶体结构32族的单晶压电材料构成,以上述单晶压电材料的晶体轴为X轴、Y轴、Z轴时,上述压电基板的主面垂直于X轴,联结上述压电基板的重心和支持部中心的连线与Z轴的夹角为+52°-+86°的角度。
9.按权利要求1所述的加速度传感器,其特征在于:压电基板由晶体结构32族的单晶压电材料构成,以上述单晶压电材料的晶体轴为X轴、Y轴、Z轴时,上述压电基板的主面垂直于与X轴的夹角为-26°~+26°的轴并且包含Y轴,联结上述压电基板的重心和支持体的中心的连线平行于Y轴。
10.按权利要求1所述的加速度传感器,其特征在于:压电基板由晶体结构32族的单晶压电材料构成,以上述单晶压电材料的晶体轴为X轴、Y轴、Z轴时,上述压电基板的主面垂直于与X轴的夹角为+52°~+68°的轴并且包含Z轴,联结上述压电基板的重心和支持体的中心的连线垂直于Z轴。
11.根据权利要求1的加速度传感器,其特征在于:上述压电基板的构成原子与支持体的构成原子通过氧原子和/或羟基相互结合,由此使上述机-电变换元件与上述支持体直接接合。
12.按权利要求11所述的加速度传感器,其特征在于:构成机-电变换元件的压电基板和支持体通过缓冲层直接接合。
13.按权利要求11所述的加速度传感器,其特征在于:压电基板和支持体由同一种材料构成。
14.按权利要求11所述的加速度传感器,其特征在于:机-电变换元件的一端支持在支持体上。
15.按权利要求11所述的加速度传感器,其特征在于:机-电变换元件的两端支持在支持体上。
16.根据权利要求1的加速度传感器,其特征在于:还包括收容上述机-电变换元件的容器,上述容器的构成原子与上述支持体的构成原子通过氧原子、羟基或氧原子和羟基相互结合而直接接合,由此使上述支持体与上述容器直接接合。
17.按权利要求16所述的加速度传感器,其特征在于:容器和支持体通过缓冲层直接接合。
18.根据权利要求1的加速度传感器,其特征在于:包括收容上述机-电变换元件的容器,上述压电基板的构成原子和上述容器的构成原子通过氧原子、羧基或氧原子和羟基相互结合,使构成上述压电元件的上述压电基板与上述容器直接接合,支持上述机-电变换元件。
19.按权利要求18所述的加速度传感器,其特征在于:压电基板和容器通过缓冲层直接接合。
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