[发明专利]控制流体中的分子簇的设备和方法

权利要求书

1.一种用于控制流体中分子簇的设备，包括：

一个流体从中流过的管道装置；以及

横向于流体流而沿所述管道装置周向设置的装置，用于使电能场或磁能场横向于穿过上述管道装置的流体的流动方向而作用于流体；

上述能场平行于上述流体的流动方向的宽度少于1mm；

用于施加电能场或磁能场的上述装置沿平行于上述流体的流动方向的总厚度应少于10mm。

2.如权利要求1所述的用于控制流体中分子簇的设备，其特征在于：上述的能量施加装置包括至少两个电极，并且上述的管道装置是用非导电材料制造。

3.如权利要求1所述的用于控制流体中分子簇的设备，其特征在于：上述的能量施加装置包括至少两个磁极片，并且上述的管道装置是用非磁性材料制造。

4.如权利要求1至3中任一项所述的用于控制流体中分子簇的设备，其特征在于：在上述管道装置的外圆周表面上设置上述的能量施加装置。

5.如权利要求1至3中任一项所述的用于控制流体中分子簇的设备，其特征在于：在上述管道装置的内部设置上述的能量施加装置。

6.如权利要求1至3中任一项所述的用于控制流体中分子簇的设备，其特征在于：上述的管道装置至少分成两个管段，并且，上述的能量施加装置设在上述的管段之间，上述的能量施加装置的内圆周表面暴露在上述管道装置的内部。

7.如权利要求2所述的用于控制流体中分子簇的设备，其特征在于：上述的至少两个电极具有不同的电化电势，以提供一个自生的电场。

8.如权利要求2所述的用于控制流体中分子簇的设备，其特征在于：上述的至少两个电极从一外部电源供电。

9.如权利要求3所述的用于控制流体中分子簇的设备，其特征在于：上述的至少两个磁极片由永磁铁增能。

10.如权利要求3所述的用于控制流体中分子簇的设备，其特征在于：上述的至少两个磁极片由电磁铁装置增能。

11.如权利要求4所述的用于控制流体中分子簇的设备，其特征在于：上述的能量施加装置至少是两个薄电极件，它们在边上围绕着上述管道装置并由一嵌入其间的电绝缘膜间隔开。

12.如权利要求4所述的用于控制流体中分子簇的设备，其特征在于：上述的能量施加装置至少是两个在边上围绕着上述管道装置的薄电极件，并且，上述的至少两个电极板的总厚度应小于10mm。

13.如权利要求4所述的用于控制流体中分子簇的设备，其特征在于：上述的能量施加装置至少是两个薄电极件，它们彼此互相直接接触，并在边上围绕着上述管道装置。

14.如权利要求12所述的用于控制流体中分子簇的设备，其特征在于：上述的至少两个薄电极件具有不同的电化电势，以提供一个自生的电场。

15.如权利要求14所述的用于控制流体中分子簇的设备，其特征在于：上述的电极之一是碳，而上述的另一电极是铝。

16.一种用于控制流体中分子簇的方法，利用横向于流体流而沿所述管道装置周向设置的至少两个电极或至少两个磁极片产生一个窄的能场，并且使上述流体横向流过上述窄的能场，上述电极或上述磁场以小于1mm的距离相互隔开。

17.如权利要求16所述的用于控制流体中分子簇的方法，其特征在于：上述的电极具有不同的电化电势，并且是自身供给能量的。

18.如权利要求16所述的用于控制流体中分子簇的方法，其特征在于：上述电极由一外部电源供电。

19.如权利要求16所述的用于控制流体中分子簇的方法，其特征在于：上述磁极片由永磁铁增能。

20.如权利要求16所述的用于控制流体中分子簇的方法，其特征在于：上述磁极片由电磁铁装置增能。

21.如权利要求16至20中任一项所述的用于控制流体中分子簇的方法，其特征在于：上述电极由一位于其间的绝缘膜间隔开。

22.如权利要求16至20中任一项所述的用于控制流体中分子簇的方法，其特征在于：上述的电极实际上彼此间相互的直接接触。