[发明专利]对光接收信号具有高线性度信号电流的光电二极管

权利要求书

1.一种管脚状光电二极管，其特征在于包含由GaInAsP层组成的光学吸收层和由靠近光学吸收层的p-型AlGaInAs层组成的p-型半导体层。

2.如权利要求1所述的光电二极管，其特征在于由GaInAsP层组成的光学吸收层与由靠近光学吸收层的p-型AlGaInAs层组成的p-型半导体层之间的价带失配差设定得不大于0.05eV。

3.如权利要求2所述的光电二极管，其特征在于光学吸收层由吸收边缘波长从1.65-1.55微米的GaInAsP层组成，而p-型半导体层由吸收边缘波长为1.55-1.30微米的p-型AlGaInAs层组成。

4.如权利要求2所述的光电二极管，其特征在于光学吸收层由吸收边缘波长为1.56-1.36微米的GaInAsP层组成，而p-型半导体层由吸收边缘波长为1.30-1.14微米的p-型AlGaInAs层组成。

5.如权利要求1-4中任一项所述的光电二极管，其特征在于其为光波导结构。

6.一种管脚状光电二极管，其特征在于包括：

n-型InP衬底；

由形成于n-型InP衬底上的n-型InP层或者n-型AlInAs层组成的n涂层，其晶格与n型InP衬底匹配；

由形成于n涂层上的n-型GaInAsP层或者n-型AlGaInAs层组成的n光波导层，n-型GaInAsP层或者n-型AlGaInAs层不吸收波长为1.55微米的光线并且其晶格与n型InP衬底匹配；

由形成于n光波导层上的非掺杂或者低掺杂的GaInAs层或GaInAsP层组成的光学吸收层，GaInAs层或GaInAsP层吸收波长为1.55微米的光线并且其晶格与n光波导层匹配；

由形成于光学吸收层上的p-型AlGaInAs层或者p-型AlGaInAs层组成的p光波导层，p-型AlGaInAs层或者p-型AlGaInAs层不吸收波长为1.55微米的光线并且其晶格与光学吸收层匹配；以及

由在p光波导层上形成的p-型InP层或者p-型AlGaInAs层组成的p涂层，p-型InP层或者p-型AlGaInAs层不吸收波长为1.55微米的光线并且其晶格与p光波导层匹配，

其中光线平行于各层入射。

7.一种波导光电二极管，其特征在于包含：

n-型InP衬底；

由形成于n-型InP衬底上的n-型InP层或者n-型AlInAs层组成的n涂层，其晶格与n型InP衬底匹配；

由形成于n涂层上的n-型GaInAsP层或者n-型AlGaInAs层组成的n光波导层，n-型GaInAsP层或者n-型AlGaInAs层不吸收波长为1.3微米的光线并且其晶格与n型InP衬底匹配；

由形成于n光波导层上的非掺杂或者低掺杂的GaInAs层或GaInAsP层组成的光学吸收层，GaInAs层或GaInAsP层吸收波长为1.3微米的光线并且其晶格与n光波导层匹配；

由形成于光学吸收层上的p-型AlGaInAs层或者p-型AlGaInAs层组成的p光波导层，p-型AlGaInAs层或者p-型AlGaInAs层不吸收波长为1.3微米的光线并且其晶格与光学吸收层匹配；以及

由在p光波导层上形成的p-型InP层或者p-型AlGaInAs层组成的p涂层，p-型InP层或者p-型AlGaInAs层不吸收波长为1.3微米的光线并且其晶格与p光波导层匹配，

其中光线平行于各层入射。

8.如权利要求1-4所述的光电二极管，其特征在于所述光电二极管为面入射型，并包含：

n-型InP衬底；

由形成于n-型InP衬底上的非掺杂或者n-型低掺杂的GaInAs层或GaInAsP层组成的光学吸收层；

形成于光学吸收层上的吸收边缘波长为1.55-1.14微米的AlGaInAs；以及

通过扩散或者离子注入p型杂质形成于AlGaInAs层内的p型区域。