[发明专利]绝缘体上的硅衬底的制造方法无效
| 申请号： | 96123922.0 | 申请日： | 1996-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN1090381C | 公开（公告）日： | 2002-09-04 |
| 发明（设计）人： | 阿闭忠司 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;C30B33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘体 衬底 制造 方法 | ||
1.绝缘体上的硅衬底的制造方法，包括下列步骤：
在单晶硅衬底表面上形成的多孔单晶硅区的表面上形成无孔单晶硅区；
在无孔单晶硅区表面上形成绝缘区；
将支撑衬底键合到绝缘区表面；以及
除去多孔单晶硅区；
其特征在于：除去多孔单晶硅区的步骤包括进行游离基干法刻蚀的步骤，在此步骤中，多孔单晶硅区的刻蚀速率大于无孔单晶硅区的刻蚀速率。
2.根据权利要求1的绝缘体上的硅衬底的制造方法，其特征在于：在除去多孔单晶硅区的步骤中，通过由至少电能或光能导致的分解反应产生的激活游离基穿入所述多孔单晶硅区的孔中来从内部刻蚀多孔区。
3.根据权利要求1的绝缘体上的硅衬底的制造方法，其特征在于：除去多孔单晶硅区的步骤包括加热或振动所述衬底对其进行刻蚀的步骤。
4.根据权利要求1的绝缘体上的硅衬底的制造方法，其特征在于：还包括在形成所述无孔单晶硅区的所述步骤之前氧化所述多孔单晶硅区的孔内壁表面的步骤。
5.根据权利要求1的绝缘体上的硅衬底的制造方法，其特征在于：还包括在形成所述无孔单晶硅区的所述步骤之前在氢气氛中热处理所述多孔单晶硅区的步骤。
6.根据权利要求1的绝缘体上的硅衬底的制造方法，其特征在于：还包括在形成所述无孔单晶硅区的所述步骤之前，氧化所述多孔单晶硅区的孔内壁表面，然后在氢气氛中热处理所得多孔单晶硅区的步骤。
7.绝缘体上的硅衬底的制造方法，包括下列步骤：
在单晶硅衬底表面上形成的多孔单晶硅区的表面上形成无孔单晶硅区；
将具有绝缘表面的支撑衬底键合到无孔单晶硅区的表面；以及
除去多孔单晶硅区；
其特征在于：除去多孔单晶硅区的步骤包括进行游离基干法刻蚀的步骤，在此步骤中，多孔单晶硅区的刻蚀速率大于无孔单晶硅区的刻蚀速率。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
