[发明专利]SOI基片及其制造方法无效
| 申请号： | 96123935.2 | 申请日： | 1996-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1075242C | 公开（公告）日： | 2001-11-21 |
| 发明（设计）人： | 金镇亨;金均衡;尹汉燮 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 杨梧 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | soi 及其 制造 方法 | ||
1、一种SOI基片的制造方法，其特征在于包括以下步骤：
在硅基片上形成槽；
在所述硅基片上面和槽内侧壁上形成氧化阻挡膜；
以所述氧化阻挡膜为掩模，对硅基片进行各向同性腐蚀，在槽底面形成沟；
对所述硅基片氧化，形成氧化膜和由所述氧化膜分离的硅器件层；
除去所述氧化阻挡膜；
使所述硅基片表面平坦化。
2、根据权利要求1的SOI基片制造方法，其特征在于所述氧化阻挡膜是氮化硅膜。
3、根据权利要求2的SOI基片制造方法，其特征在于所述硅基片上面和槽内侧壁上形成氧化阻挡膜的步骤包括：
在形成有槽的硅基片上部淀积所述氮化硅膜；
在所述氮化硅膜上部形成光刻胶图形，以使所述槽下部的氮化硅膜露出；
利用所述光刻胶图形，对氮化硅膜构图；
除去光刻胶图形。
4、根据权利要求3的SOI基片制造方法，其特征在于还包括淀积所述氮化硅之前形成衬底氮化膜的步骤。
5、根据权利要求1的SOI基片制造方法，其特征在于还包括在所述沟的形成步骤与氧化步骤之间，在沟内部形成多晶硅层的步骤。
6、根据权利要求1的SOI基片制造方法，其特征在于在所述沟的形成步骤与热氧化步骤之间，还包括在沟内部注入氧离子的步骤。
7、根据权利要求1的SOI基片制造方法，其特征在于通过所述硅基片表面平坦化步骤，使所述氧化膜表面露出，从而实现平坦化。
8、根据权利要求1的SOI基片制造方法，其特征在于通过化学的机械的研磨方式使所述硅基片平坦化。
9、根据权利要求1的SOI基片制造方法，其特征在于通过腐蚀使所述硅基片平坦化。
10、根据权利要求1的SOI基片制造方法，其特征在于所述氧化膜在所述槽内形成的部分起元件分离的作用。
11、根据权利要求1的SOI基片制造方法，其特征在于所述氧化膜中在所述硅器件层下部的硅基片内形成的部分起埋置氧化膜的作用。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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