[发明专利]利用富勒伦分子包容辐射的方法

权利要求书

1．一种吸收辐射的贮存分子，该分子包括：

巴克明斯特富勒伦C₆₀分子；和

封装在巴克明斯特富勒伦、C₆₀分子内的放射性物质；

其中C₆₀分子具有电子封闭的壳层，其旋转速度控制在最低为3×10¹⁰s^-1，以便捕集由被封装的放射性物质放射出的有害辐射。

2．一种吸收辐射的贮存分子，该分子包括：

具有以巴克明斯特富勒伦C₆₀分子作内碳团粒层的富勒伦葱头；和

封装在巴克明斯特富勒伦分子内的放射性物质；

其中C₆₀分子具有电子封闭的壳层，并以足以捕集由被封装的放射性物质放射出的有害辐射的速度旋转。

3．权利要求2的吸收辐射的分子，其中富勒伦葱头具有理想的二十面体对称。

4．权利要求2的吸收辐射的贮存分子，其中C₆₀分子以最低为3×10¹⁰s^-1的速度旋转。

5．权利要求2的吸收辐射的贮存分子，其中富勒伦葱头的外壳层为C₁₈₀分子。

6．权利要求2的吸收辐射的贮存分子，其中富勒伦葱头的外壳层为C₂₄₀分子。

7．权利要求2的吸收辐射的贮存分子，其中富勒伦葱头的外壳层为C₅₄₀分子。

8．权利要求2的吸收辐射的贮存分子，其中富勒伦葱头的中间壳层为C₂₄₀分子，富勒伦葱头的外壳层为C₅₄₀分子。

9．一种减少高能电离辐射的分子，该分子包括：

具有至少三个碳层的高能封闭的贮存单元，该三个碳层为内层，中间层和外层；和

封装在内碳层内的放射性物质。

10．权利要求9的分子，其中碳层是由球形富勒伦葱头层所形成。

11．权利要求9的分子，其中碳层是由具有两个封闭端的富勒伦封壳所形成。

12．一种导向和吸收高能电离辐射的分子，该分子包括：

具有至少三个碳层的高能封闭的贮存单元，该三个碳层为内层，中间层和外层；和

封装在内碳层内的放射性物质；

其中，该三个碳层中的每个碳层皆由具有一个封闭端的富勒伦纳米管所形成。

13．一种制造高能封闭的富勒伦结构的方法，该方法包括下列步骤：

利用具有第一组态的富勒伦分子形成第一碳层；

将放射性物质封装在第一碳层内；

利用具有与第一组态相同组态的富勒伦分子形成围绕第一碳层的第二碳层；以及

利用具有与第一组态相同组态的富勒伦分子形成围绕第二碳层的第三碳层。

14．权利要求13的方法，其中第一，第二和第三碳层是利用富勒伦葱头所形成。

15．权利要求13的方法，其中第一，第二和第三碳层是利用富勒伦纳米管所形成。

16．权利要求13的方法，其中第一，第二和第三碳层是利用富勒伦封壳所形成。

17．权利要求13的方法，其中第一碳层是利用富勒伦封壳所形成，而第二和第三碳层是利用富勒伦纳米管所形成。

18．一种吸收辐射的方法，该方法包括下列步骤：

选择巴克明斯特富勒伦C₆₀分子作为贮存分子；

将放射性物质封装在C₆₀贮存分子内；以及

控制贮存分子周围的环境条件，使贮存分子以最低为3×10¹⁰s^-1的速度旋转。

19．一种优化生产封装放射性物质的C₆₀富勒伦分子的方法，该方法包括利用四价富勒伦引发C₆₀壳层形成的步骤。

20．权利要求19方法，其中四价富勒伦为U@C₂₈。