[发明专利]表面晶体缺陷的测量方法及装置

权利要求书

1．一种缺陷测量方法，该方法用光照射试样，通过测量来自晶体缺陷的散射光进行该晶体缺陷的检测，其特征在于下列步骤：

照射具有对该试样侵入深度不同的多种波长的光，使该试样或照射光做相对的扫描；按波长分别检测从缺陷产生的多种波长的散射光强度，以及在检测到多种波长中的某特定波长的散射光强度信号(触发信号)大于预定值的信号时，利用比上述触发信号的侵入深度大的波长的散射光强度求出缺陷的尺寸。

2．如权利要求1所述的缺陷测量方法，其特征在于：

确定所述多种波长的光使得各波长的侵入深度之比满足根据必要的缺陷尺寸测量精度求出的比率。

3．如权利要求1所述的缺陷测量方法，其特征在于：

利用所述多种波长中的任意两种波长的散射光强度导出所述缺陷的深度位置。

4．如权利要求2所述的缺陷测量方法，其特征在于：

所述多种波长的光是各照射光的侵入深度至少相差3倍以上的两种波长的光。

5．如权利要求3所述的缺陷测量方法，其特征在于：

用所述两种波长的光照射所述试样，错开照射光束位置使侵入深度小的波长的散射光强度信号比侵入深度大的波长的散射光强度信号在时间上先被检测，把侵入深度小的波长的散射光强度信号作为触发信号输入两种波长的散射光信号，用侵入深度大的散射光强度导出缺陷尺寸，用两种波长的散射光强度导出缺陷的深度位置。

6．如权利要求3所述的缺陷测量方法，其特征在于：

用所述两种波长的光照射所述试样，错开照射光束位置使侵入深度小的波长的散射光强度信号比侵入深度大的波长的散射光强度信号在时间上先被检测，把侵入深度大的波长的散射光强度信号作为触发信号输入两种波长的散射光信号，对于侵入深度小的信号强度为一特定值以上的缺陷，用侵入深度大的散射光强度导出缺陷尺寸，用两种波长的散射光强度导出缺陷的深度位置。

7．一种缺陷测量方法，该方法用光照射该试样，通过测量来自晶体缺陷的散射光进行该晶体缺陷的检测，其特征在于：

照射具有对该试样侵入深度不同的多种波长的光，以图像数据的形式输入各波长的晶体缺陷的散射光图像，利用该各波长的缺陷图像的散射光强度分布峰值，导出利用至少两个波长观察的缺陷深度位置，用侵入深度大的波长的缺陷画像的散射光强度分布峰值导出该缺陷的尺寸。

8．如权利要求7所述的缺陷测量方法，其特征在于：

确定所述多种波长的光使得各波长的侵入深度之比满足根据必要的缺陷尺寸测量精度求出的比率。

9．如权利要求8所述的缺陷测量方法，其特征在于：

所述多种波长的光，是各照射光的侵入深度至少相差3倍以上的两种波长的光。

10．一种缺陷测量方法，该方法用光照射试样，通过测量来自晶体缺陷的散射光，进行该晶体缺陷的检测，其特征在于：

采用权利要求1所述的和权利要求7所述的两种缺陷测量方法进行测量。

11．如权利要求10所述的缺陷测量方法，其特征在于：

采用权利要求1～6所述的缺陷测量方法对试样进行测量后，对该测量得到的特定缺陷用权利要求7所述的方法进行测量。

12．一种缺陷测量装置，包括：

多个光源，所述多个光源发出侵入深度因试样吸收的波长的光而不同的各种波长，或同时发出多种波长光的光源；

对试样照射各种波长的光的手段；

相对试样进行照射光扫描或者相对照射光进行试样扫描的手段；

把来自试样表面或内部的缺陷产生的散射光根据不同照射波长分开、聚光，被光检测器分别检测并转换成电信号的检测系统；

当检测到多种波长中的某一特定波长的散射光强度信号(触发信号)大于预定值的信号时，把比上述触发信号波长的侵入深度大的波长的散射光强度和缺陷检测位置进行存储的手段；

用所述被存储的数据导出缺陷尺寸的手段；以及

显示所述结果的手段。

13．如权利要求12所述的缺陷测量装置，其特征在于：

确定所述多种波长的光使得各波长的侵入深度之比满足根据必要的缺陷尺寸测量精度求出的比率。