[发明专利]带有蚀刻电极的等离子体寻址液晶显示器

权利要求书

1.一种沟道板，其特征在于它包括具有隔开的沟道的薄电介质片，每条沟道带有基本垂直的侧壁，以及在每条沟道的相对侧壁上的电极材料，沟道底部和侧壁顶部没有电极材料。

2.权利要求1的沟道板，其特征在于进一步包括分开接触在相对侧壁上的电极材料的装置，所述装置包括与每个电极材料部分连接并横向延伸的另一层电极材料。

3.权利要求2的沟道板，其特征在于分开接触电极材料的装置包括具有侧壁的展开区，带有位于展开区的侧壁上的进一步的电极材料。

4.一种等离子体寻址光电显示器件，包括一层光电材料，与光电层相连并用于接受启动光电层部分的数据电压的数据电极，多个长形等离子体沟道在用于使所述光电部分选择接通的数据电极的横向方向上延伸，薄电介质片状部件隔离面对数据电极和在等离子体沟道及光电层之间的侧面上的等离子体沟道，所述每条等离子体沟道包括隔开的长形阴极和阳极等离子体电极和被离子化的气体填充物，所述器件进一步包括电极的展开区，其特征在于：

(a)展开区包括带有基本是垂直的侧壁的沟道结构，

(b)在沟道展开区的侧壁上的并且与等离子体沟道中的各个电极相连的电极金属。

5.权利要求4的器件，其特征在于与等离子体沟道相比，展开区中的沟道结构被加宽。

6.权利要求5的器件，其特征在于进一步包括具有在沟道展开区的沟道中和与沟道展开区侧壁隔开的基本垂直的侧壁的直立结构，所述电极金属基本填充直立结构侧壁和沟道展开区侧壁之间的空间。

7.权利要求6的器件，其特征在于直立结构包括许多隔开的列。

8.权利要求4的器件，其特征在于沟道的展开区具有比等离子体沟道浅的沟道。

9.权利要求4的器件，其特征在于在等离子体过渡到沟道展开区处形成浅的斜坡区，以便隔离阴极和阳极电极。

10.权利要求4的器件，其特征在于沟道展开区基本如等离子体沟道那样深，并且导电材料填充其侧壁之间的沟道展开区的沟道中的空间，以便改善电连接。