[发明专利]脉冲离子束辅助淀积

权利要求书

1.一种在基片上对一种材料进行脉冲离子束辅助淀积的方法，包括：

a)所述材料淀积在基片上，由此产生一个复合结构；和

b)通过至少一个离子束脉冲的作用，热处理复合结构。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述材料的淀积在时间上是连续的。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于淀积的速率在时间上是不连续的。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于复合结构的所述热处理包括一个薄表面层的熔化和再生长。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于复合结构的所述热处理包括不熔化一个薄表面层的退化。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于复合结构的所述热处理包括薄表面层的气化。

7.如权利要求4所述的方法，其特征在于承受熔化和再生长的薄表面层的厚度大于被淀积材料的厚度。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于所淀积材料与基片材料发生熔合。

9.如权利要求4所述的方法，其特征在于承受熔化和再生长的薄表面层的厚度小于所淀积材料的厚度。

10.如权利要求4所述的方法，其特征在于承受熔化和再生长的薄表面层的厚度完全等于所淀积材料的厚度。

11.如权利要求4所述的方法，其特征在于多离子束脉冲被施加到复合结构上。

12.如权利要求12所述的方法，其特征在于承受熔化和再生长的薄表面层的厚度由于应用了上述离子束脉冲而大于所淀积材料的厚度。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于所述熔化和再生长产生高质量的淀积材料。

14.如权利要求11所述的方法，其特征在于承受熔化和再生长的薄表面层的厚度由于应用了上述离子束脉冲而小于所淀积材料的厚度。

15.如权利要求11所述的方法，其特征在于承受熔化和再生长的薄表面层的厚度由于应用了上述的离子束脉冲而完全等于所淀积材料的厚度。

16.如权利要求5所述的方法，其特征在于未熔化的所述退火允许在复合结构中恢复高温状态。

17.如权利要求5所述的方法，其特征在于未熔化的所述退火允许在复合结构中恢复不平衡状态。

18.如权利要求5所述的方法，其特征在于承受未熔化退火的薄表面层的厚度大于所淀积材料的厚度。

19.如权利要求5所述的方法，其特征在于承受未熔化退火的薄表面层的厚度小于所淀积材料的厚度。

20.如权利要求5所述的方法，其特征在于承受未熔化退火的薄表面层的厚度完全等于所淀积材料的厚度。

21.如权利要求5所述的方法，其特征在于多离子束脉冲被施加到复合结构上。

22.如权利要求21所述的方法，其特征在于承受退火的薄表面层的厚度由于应用了上述离子束脉冲而大于所淀积材料的厚度。

23.如权利要求21所述的方法，其特征在于承受了未熔化退火的薄表面层的厚度由于应用了上述离子束脉冲而完全等于所淀积材料的厚度。

24.如权利要求21所述的方法，其特征在于承受了未熔化退火的薄表面层的厚度由于应用了上述离子束脉冲而完全等于所淀积材料的厚度。

25.如权利要求6所述的方法，其特征在于薄表面层的所述气化把一个冲击波送到了复合结构的主体中。

26.如权利要求6所述的方法，其特征在于薄表面层的所述气化产生一个浓密的高压等离子云，其部分重新淀积在复合结构上。

27.如权利要求6所述的方法，其特征在于承受气化的薄表面层的厚度大于所淀积材料的厚度。

28.如权利要求6所述的方法，其特征在于承受气化的薄表面层的厚度小于所淀积材料的厚度。

29.如权利要求6所述的方法，其特征在于薄表面层包含有污染物，调节气化材料的数量以便清除薄表面层同时对下面结构产生最小改变。