[发明专利]制造具有薄耐磨层磁头的方法,及其用所述方法获得的磁头无效
申请号: | 96190458.5 | 申请日: | 1996-04-23 |
公开(公告)号: | CN1153568A | 公开(公告)日: | 1997-07-02 |
发明(设计)人: | G·S·A·M·特尼森;M·H·F·奥弗韦克;P·拉辛斯克 | 申请(专利权)人: | 菲利浦电子有限公司 |
主分类号: | G11B5/187 | 分类号: | G11B5/187 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王勇,王岳 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 具有 耐磨 磁头 方法 及其 获得 | ||
1.一种具有顶面和在顶面内用转换元件和导流元件连接的层结构的磁头制造方法,该顶面具备有形成接触面的非磁性层,其特征在于,具有最大厚度为60nm的耐磨层形成为非磁性层,此后离子束移向所说层射到耐磨层,同时离子注入耐磨层,直到注入剂量达到1010离子/平方厘米和1014离子/平方厘米之间为止。
2.根据权利要求1的方法,其特征在于,耐磨层主要是从材料Cr2O3、四角晶系或立方稳定ZrO2、HfO2、CNx其中0.25≤x≤1.5和WCy其中0.5≤y≤1.5之一形成。
3.根据权利要求2的方法,其特征在于,材料是用溅射提供的。
4.根据权利要求2或3的方法,其特征在于,在主要包含Cr的层已提供在顶面上之后,附着沉积Cr2O3。
5.根据权利要求1、2、3或4的方法,其特征在于,注入稀有气体离子。
6.根据权利要求1、2、3、4或5的方法,其特征在于,在至少10KeV和至多200KeV的注入能量上注入离子.
7.根据前面权利要求中的任何一个权利要求的方法获得的磁头,该磁头具有顶面和在顶面内用转换元件和导流元件连接的层结构,顶面具有形成接触面的非磁性层,其特征在于,非磁性层是具有最小厚度为10nm和最大厚度为60nm的耐磨层,该层具有在1010离子/平方厘米和1014离子/平方厘米之间的注入离子剂量。
8.根据权利要求7的磁头,其特征在于,耐磨层主要包括材料Cr2O3,掺杂ZrO2、HfO2、CNx其中0.25≤x≤1.5和WCy其中0.5≤y≤1.5中的一个。
9.根据权利要求7或8的磁头,其特征在于,主要Cr的粘附层存在于顶面上,其粘附层具有主要Cr2O3的耐磨层。
10.根据权利要求7、8或9的磁头,其特征在于,注入离子是稀有气体离子。
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