[发明专利]形成晶体性半导体膜的方法

权利要求书

1、一种在基板上形成晶体性半导体膜的方法，其特征在于，具有：

在基板上淀积半导体膜的半导体膜淀积工艺，

反复进行使该半导体膜的一部分熔融结晶化处理，从而使该半导体膜的实质上整个领域进行结晶的第1退火工艺，以及

对该已结晶的半导体膜施行快速热处理的第2退火工艺。

2、根据权利要求1记载的晶体性半导体膜的形成方法，其特征在于，当以绝对温度T[K]表示上述第2退火工艺的热处理温度，以t〔秒〕为热处理时间时，热处理温度T与热处理时间t，满足关系式：

1.72×10^-21[秒]＜t·exp(-ε/kT)

(ε＝3.01[eV]、k＝8.617×10^-5[eV/K]：波尔兹曼常数)。

3、根据权利要求1记载的晶体性半导体膜的形成方法，其特征在于，当以绝对温度T[K]表示上述第2退火工艺的热处理温度，以t〔秒〕为热处理时间时，热处理温度T与热处理时间t，满足关系式：

5×10^-18[秒]＜t·exp(-ε/kT)

(ε＝3.01[eV]、k＝8.617×10^-5[eV/K]：波尔兹曼常数)。

4、根据权利要求1记载的晶体性半导体膜的形成方法，其特征在于，当以绝对温度T[K]表示上述第2退火工艺的热处理温度，以t〔秒〕为热处理时间时，热处理温度T与热处理时间t，满足关系式：

1.72×10^-21[秒]＜t·exp(-ε/kT)＜4.63×10^-14[秒]

(ε＝3.01[eV]、k＝8.617×10^-5[eV/K]：波尔兹曼常数)。

5、根据权利要求1记载的晶体性半导体膜的形成方法，其特征在于，当以绝对温度T[K]表示上述第2退火工艺的热处理温度，以t〔秒〕为热处理时间时，热处理温度T与热处理时间t，满足关系式：

5×10^-18[秒]＜t·exp(-ε/kT)＜4.63×10^-14[秒]

(ε＝3.01[eV]、k＝8.617×10^-5[eV/K]：波尔兹曼常数)。

6、根据权利要求1记载的晶体性半导体膜的形成方法，其特征在于，当以绝对温度T[K]表示上述第2退火工艺的热处理温度，以t〔秒〕为热处理时间时，热处理温度T与热处理时间t，满足关系式：

1.72×10^-21[秒]＜t·exp(-ε/kT)＜1.09×10^-15[秒]

(ε＝3.01[eV]、k＝8.617×10^-5[eV/K]：波尔兹曼常数)。

7、根据权利要求1记载的晶体性半导体膜的形成方法，其特征在于，当以绝对温度T[K]表示上述第2退火工艺的热处理温度，以t〔秒〕为热处理时间时，热处理温度T与热处理时间t，满足关系式：

5×10^-18[秒]＜t·exp(-ε/kT)＜1.09×10^-15[秒]

(ε＝3.01[eV]、k＝8.617×10^-5[eV/K]：波尔兹曼常数)。

8、根据权利要求6或7记载的晶体性半导体膜的形成方法，其特征在于，

上述基板是玻璃基板，上述热处理温度T是该玻璃基板的应变点以下。

9、根据权利要求2至7的任一项记载的晶体性半导体膜的形成方法，其特征在于，

上述热处理时间t是300秒以下。

10、根据权利要求2至7的任一项记载的晶体性半导体膜的形成方法，其特征在于，上述热处理时间t是180秒以下。

11、根据权利要求1记载的晶体性半导体膜的形成方法，其特征在于，

所述熔融结晶化处理为对该半导体膜反复进行局部激光照射。

12、根据权利要求1记载的晶体性半导体膜的方法，其特征在于，

所述熔融结晶化处理为对该半导体膜反复进行局部高能光照射。