[发明专利]制备类金刚石碳膜(DLC)的方法、由此制备的DLC膜、该膜的用途、场致发射体阵列以及场致发射体阴极

权利要求书

1、一种在基体上形成基本上并且均匀地不含氢的DLC膜的方法，该方法包括下列步骤：

在该基体上生长含有氢和预定厚度的DLC层；

将该DLC膜表面暴露在含氟气体气氛的蚀刻等离子体中，使所述的含有氢的DLC膜基本上并且均匀地不含氢；以及

在形成所述的基本上并且均匀地不含氢的DLC层上按顺序重复所述的生长和暴露步骤，以得到预定厚度的DLC膜；

其中，该DLC膜的厚度为1-100纳米，该DLC膜被暴露在蚀刻等离子体中1-200秒，并且，该DLC膜采用沉积等离子体通过PECVD方法得以生长。

2、权利要求1的方法，其特征在于该氟气体是氟化碳。

3、权利要求2的方法，其特征在于该氟化碳是CF₄。

4、权利要求1的方法，其特征在于该DLC膜的厚度为5-20纳米。

5、权利要求1的方法，其特征在于该DLC膜在蚀刻等离子体中暴露50-100秒。

6、权利要求1的方法，其特征在于用于生长该DLC膜的沉积等离子体包括CH₄、H₂和He。

7、权利要求1的方法，其特征在于该蚀刻等离子体包括CF₄和He。