[发明专利]清洗多层牺牲腐蚀的硅衬底的方法无效
申请号: | 96191635.4 | 申请日: | 1996-11-18 |
公开(公告)号: | CN1169796A | 公开(公告)日: | 1998-01-07 |
发明(设计)人: | 基恩O·沃伦 | 申请(专利权)人: | 利顿系统公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B44C1/22 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 袁炳泽 |
地址: | 美国加利福尼*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 多层 牺牲 腐蚀 衬底 方法 | ||
1.一种形成多层牺牲腐蚀硅衬底的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
提供具有多层隐埋氧化层的硅衬底;
腐蚀掉隐埋氧化层;
把所述硅衬底悬于旋转夹具上,且距旋转夹具的中心一定距离;
使夹具绕所述中心以一旋转速度旋转,以获得预定离心力。
2.根据要求1的方法,其特征在于,预定离心力在1000g-3000g之间。
3.根据要求1的方法,其特征在于,旋转速度在5000-7000RPM之间。
4.一种清洗多层牺牲腐蚀硅衬底加速度计的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
提供由多层牺牲腐蚀硅衬底形成的加速度计,其中加速度计包括以悬臂方式悬于铰接部分上衬底的检测体;
利用腐蚀剂腐蚀掉牺牲层;
提供具有带上开口的舱的旋转平台,所述舱位于距旋转中心一定距离处;
使所述舱内衬以吸收材料;
把硅衬底置于舱内,使检测体处于由旋转平台的旋转运动所限定的平面内;
覆盖所述舱;以及
使所述平台旋转,由此使腐蚀剂流出衬底,并被吸收材料吸收。
5.根据权利要求4的清洗多层牺牲腐蚀硅衬底加速度计的方法,其特征在于,设置硅衬底的步骤还包括把悬臂式检测体设置成使其自由端远离旋转平台的旋转中心的步骤。
6.根据权利要求4的清洗多层牺牲腐蚀硅衬底加速度计的方法,其特征在于,使平台旋转的步骤还包括旋转平台使硅衬底加速度计受1000-3000g力的步骤。
7.一种清洗多层牺牲腐蚀硅衬底加速度计的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
提供由多层牺牲腐蚀硅衬底形成的加速度计;
利用腐蚀剂腐蚀掉牺牲层;
提供具有舱的旋转平台,所述舱位于距旋转中心一定半径处;
使所述舱内衬以吸收材料;
把加速度计装在所述舱内;
密闭所述舱;以及
使所述平台旋转,以使加速度计获得预定旋转加速度。
8.根据权利要求7的方法,其特征在于,所述半径在30mm-50mm之间。
9.根据权利要求7的方法,其特征在于,加速度计还包括具有重心的检测体,所述检测体铰接于衬底上,而且加速度计定位于所述舱内,使所述重心与所述半径在一条线上。
10.根据权利要求7的方法,其特征在于,所述腐蚀剂是HF。
11.根据权利要求7的方法,其特征在于,所述牺牲层是氧化材料。
12.根据权利要求7的方法,其特征在于,加速度计还包括悬于衬底上的平面型检测体,所述平面型检测体装在由旋转平台限定的平面内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造