[发明专利]固定值存储单元装置及其制作方法

权利要求书

1.一种固定值存储单元装置，其中，

-在半导体衬底(1)中设有很多单个的存储单元，

-存储单元分别设在平行伸展的行中，

-在半导体衬底(1)的主面(2)内具有纵向沟槽(6)，这些纵向沟槽平行于行伸展，

-这些行分别交替地处于相邻的纵向沟槽(6)之间的主面(2)上并处在纵向沟槽(6)的底部，

-设有隔离结构(3、10)，相邻的行通过这些隔离结构(3、10)相互隔离，

-存储单元分别包括至少一个MOS晶体管(12、11、12)，所述MOS晶体管的源/漏区制作为纵向沟槽底部上相关的掺杂区，在源/漏区之间设置一个带有栅电极的栅极，

-字线(11)横向于行伸展，字线(11)分别与沿不同的行设置的MOS晶体管的栅极相连。

2.按照权利要求1所述的固定值存储单元装置，其中，用于隔离相邻的行的隔离结构包括沿纵向沟槽(6)的侧壁设置的隔离侧墙(10)和分别设在纵向沟槽(6)之间的半导体衬底(1)中的掺杂层(3)，这些掺杂层(3)防止在相邻的行之间的半导体衬底(1)中构成导电沟道。

3.按照权利要求1或2所述的固定值存储单元装置，其中，

-沿一行设置的存储单元的MOS晶体管是串联的，

-沿一行相邻的MOS晶体管的互连的源/漏区为半导体衬底中的关联掺杂区(12)结构，

-每行具有两个接点，在这两个接点之间，设在行中的MOS晶体管是串联的。

4.按照以上权利要求之一所述的固定值存储单元装置，其中，根据存入具体的存储单元中的信息，MOS晶体管具有不同的阈值电压。

5.用于制作固定值存储单元装置的方法，其中，

-在半导体衬底(1)的主面(2)内平行伸展的纵向沟槽(6)被腐蚀，

-很多设在行中的、分别包括至少一个MOS晶体管的存储单元被制造，其中，行交替地设在相邻的纵向沟槽(6)之间的主面(2)上和纵向沟槽(6)的底部，

-在腐蚀纵向沟槽(6)之前，为了调整设在纵向沟槽(6)之间的主面(2)上的MOS晶体管的阈值电压，对沟道进行第一次离子注入，

-在腐蚀纵向沟槽(6)之后，为了调整设在纵向沟槽(6)的底部的晶体管的阈值电压，对沟道进行第二次离子注入，

-相邻的纵向沟槽(6)之间的主面(2)是掩蔽的，

-一个栅氧化层被生成，

-横向于行伸展的字线(11)被生成，这些字线(11)分别与沿不同的行设置的MOS晶体管的栅极相连，

-对MOS晶体管的源/漏区进行离子注入，此时，字线(11)被用作掩模，

-隔离结构(3、10)被生成，这些隔离结构使相邻行的MOS晶体管相互隔离。

6.按照权利要求5所述的方法，其中，

-为了形成隔离结构，在进行第一次沟道离子注入之前，在半导体衬底中生成掺杂层(3)，该掺杂层(3)在腐蚀纵向沟槽(6)时被腐蚀透，并且该掺杂层(3)防止在相邻的行之间的半导体衬底(1)中构成导电沟道，

-此外，为了形成隔离结构(3、10)在腐蚀纵向沟之后，纵向沟(6)的侧壁上的隔离侧墙(10)被生成。

7.按照权利要求5所述的方法，其中，

-对纵向沟槽(6)的腐蚀是在把含有SiO₂的沟槽掩模(5)用作腐蚀掩模的情况下进行的，

-在进行第二次沟道离子注入时，含有SiO₂的沟槽掩模(5)掩蔽相邻的纵向沟槽(6)之间的主面(2)，

-在对沟道进行离子注入后，沟槽掩模(5)被去除。