[发明专利]半导体激光装置和采用它的光盘设备

权利要求书

1.自持脉动式半导体激光装置，包括活性层和夹住此活性层的包覆结构，其中包覆结构包含以1×10¹⁸cm^-3或较高的浓度的掺杂以杂质的可饱和吸收层；和

此可饱和吸收层被设置在离开活性层的位置上。

2.按照权利要求1的自持脉动式半导体激光装置，其中可饱和吸怍层与活性层间的间隔为200或较大。

3.按照权利要求1的自持脉动式半导体激光装置，其中是包覆结构还包含在活性层与可饱和吸收层之间的具有带隙大于活性层和可饱和吸收层的带隙的隔离层。

4.按照权利要求3的自持脉动式半导体激光装置，其中隔离层具有200或更大的厚度。

5.按照权利要求4的自持脉动式半导体激光装置，其中邻接到活性层的隔离层至少200厚度的区域的杂质浓度为0.7×10¹⁸cm^-3或更小。

6.按照权利要求5的自持脉动式半导体激光装置，其中隔离层以0.7×10¹⁸cm^-3或较小的浓度被均匀地掺杂杂质。

7.按照权利要求6的自持脉动式半导体激光装置，其中可饱和吸收层具有局部地高于邻接此可饱和吸收层的包覆结构的一部分的杂质浓度的杂质浓度。

8.按照权利要求1的自持脉动式半导体激光装置，其中可饱和吸收层所掺杂质为p-型。

9.按照权利要求1的自持脉动式半导体激光装置，其中包覆结构还包含具有小于活性层与可饱和吸收层之间的隔离层的带隙的带隙的光导层。

10.按照权利要求1的自持脉动式半导体激光装置，其中包覆结构还包含光导层，及可饱和吸收层被设置邻接于光导层。

11.按照权利要求1的自持脉动式半导体激光装置， 其中包覆结构还包含光导层，及可饱和吸收层被设置在光导层中。

12.按照权利要求1的自持脉动式半导体激光装置，其中包覆结构还包含光导层，及可饱和吸收层被设置在此光导层的附近。

13.按照权利要求1的自持脉动式半导体激光装置，其中包括掺杂以n-型和p-型杂质的电流限制层。

14.按照权利要求1的自持脉动式半导体激光装置，包括：

在活性层与可饱和吸收层之间的由带隙大于活性层带隙的材料制成的隔离层；

至少两个由带隙小于隔离层带隙的材料制成的量子阱层；和

设置在量子阱层之间的由带隙大于量子阱层的带隙的材料制成的量子阻挡层。

15.按照权利要求1的自持脉动式半导体激光装置，其中具有与包覆层导电性不同的导电性的电流阻挡层被设置邻近于包覆层，且被注入包覆层的电流所通过区域的宽度为7μm或较少。

16.按照权利要求1的自持脉动式半导体激光装置，其中在邻接可饱和吸收层的区域内设置有阻挡载流子扩散进可饱和吸收层的结构。

17.自持脉动式半导体激光装置，包括活性层和夹住此活性层的包覆结构，其中包覆结构包含以1×10¹⁸cm^-3或更大的浓度掺杂以杂质的可饱和吸收层和设置在此可饱和吸收层附近的光导层；和

该可饱和吸收层被设置在离开活性层的位置。

18.按照权利要求17的自持脉动式半导体激光装置，其中活性层具有量子阱结构，而可饱和吸收层被形成为一量子阱层。

19.按照权利要求17的自持脉动式半导体激光装置，其中包覆结构包含p-型包覆层和n-型包覆层；和

可饱和吸收层为p-型并被设置在p-型包覆层中。

20.按照权利要求17的自持脉动式半导体激光装置，其中包覆结构还包含在活性层与可饱和吸收层之间的具有大于活性层和可饱和吸收层的带隙的带隙的隔离层。

21.按照权利要求20的自持脉动式半导体激光装置，其特征是隔离层具有厚度200或更大。