[发明专利]含有钛阻挡层的焊料凸点结构及其形成方法无效

专利信息
申请号: 96193314.3 申请日: 1996-03-18
公开(公告)号: CN1096110C 公开(公告)日: 2002-12-11
发明(设计)人: 约瑟夫·丹尼尔·米斯;格雷钦·马耶尔克·阿德马;马克·D·克拉姆;W·鲍伊德·罗格尔斯 申请(专利权)人: 统一国际有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/48
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王永刚
地址: 荷属安*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 含有 阻挡 焊料 结构 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种在微电子器件(20)上形成焊料凸点(42)的方法,微电子器件(20)具有衬底(22)和所述衬底(22)上的多个接触焊盘(24),其中每个所述接触焊盘(24)都有暴露的表面部分,所述方法的特征在于以下步骤:

在所述接触焊盘(24)上形成连续的钛阻挡层(28),其中所述阻挡层(28)覆盖所述接触焊盘(24)的所述暴露的表面部分,并在所述衬底上延伸;

在面对所述衬底的所述阻挡层(28)上形成下凸点金属化层(30,32,34);

在面对所述接触焊盘(24)中的一个和所述阻挡层的所述暴露的表面部分,在所述下凸点金属化层(30,32,34)上形成焊料凸点(42),因而限定了所述下凸点金属化层上暴露的和未暴露表面部分;

选择性地除去所述下凸点金属化层(30,32,34)的所述暴露部分,因而限定了所述阻挡层(28)的暴露部分;

选择性地除去所述阻挡层(28)的所述暴露部分;并且

其中形成下凸点金属化层的步骤包括:

在所述钛阻挡层(28)上形成铬层(30),和

在面对所述阻挡层(28)的所述铬层(30)上形成铜层(34)。

2.根据权利要求1的方法,其中形成下凸点金属化层的所述步骤还包括:

形成所述铜层之前在面对所述阻挡层的所述铬层上形成铬和铜的相控层。

3.根据权利要求1的方法,其中在所述下凸点金属化层的所述暴露部分上形成包括焊料不可湿润层的焊料阻挡层的步骤先于所述形成焊料凸点的步骤,其中除去所述焊料阻挡层的步骤先于所述选择性地除去所述下凸点金属化层的所述暴露部分的步骤。

4.根据权利要求2的方法,其中所述选择性地除去所述下凸点金属化层(30,32,34)的所述暴露部分的步骤还包括:

对所述铜层(34)的所述暴露部分使用铜腐蚀剂,其中相对于所述焊料凸点(42)、所述铬层(30)、和所述钛阻挡层(28),所述铜腐蚀剂优先选择性地腐蚀所述铜层(34)和所述相控层(32)的所述铜部分;以及

对所述相控层(32)的所述铬部分和所述铬层(30)使用铬腐蚀剂,其中相对于所述焊料凸点(42)、所述铜层(34)、和所述钛阻挡层(28),所述铬腐蚀剂优先选择性地腐蚀所述相控层(32)的所述铬部分和所述铬层(30)。

5.根据权利要求3的方法,其中所述形成焊料阻挡层的步骤还包括在面对所述下凸点金属化层上的所述焊料不可湿润层(36)上形成焊料可湿润层(38)的步骤。

6.一种微电子器件(20)的焊料凸点结构,微电子器件(20)具有衬底(22)和所述衬底(22)上的多个接触焊盘(24),其中每个所述接触焊盘(24)都有面对所述衬底的暴露的表面部分,所述焊料凸点结构的特征在于:

连续的钛阻挡层(28)在所述衬底上延伸并与所述每个接触焊盘(24)所述的暴露的表面部分接触;

在面对所述衬底的所述阻挡层(28)上形成连续的下凸点金属化层(30,32,34);

在面对所述接触焊盘(24)中一个的所述下凸点金属化层(30,32,34)上形成焊料凸点(42);并且

其中所述连续的下凸点金属化层包括:

在所述钛阻挡层(28)上的铬层(30),

在相对于所述阻挡层(28)的所述铬层(30)上的铜层(34)。

7.根据权利要求6的焊料凸点结构,其中所述连续的下凸点金属化层还包括:

在所述铬层和所述铜层之间的铬和铜的相控层。

8.根据权利要求6的焊料凸点结构,其中所述焊料凸点限定了所述下凸点金属化层的暴露部分,所述结构还包括:在面对所述阻挡层的所述下凸点金属化层的所述暴露部分上的焊料阻挡层,并且其中所述焊料阻挡层包括焊料不可湿润层。

9.根据权利要求8的焊料凸点结构,其中所述焊料不可湿润层(36)选自包括钛层和铬层的组中。

10.根据权利要求8的焊料凸点结构,其中所述焊料阻挡层还包括相对于所述下凸点金属化层,在所述焊料不可湿润层(36)上的焊料可湿润层(38)。

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