[发明专利]半导体晶圆片用的竖直支架

权利要求书

1.一种支撑多个彼此隔开的、基本上水平且平行的半导体晶园片用的竖直支架，其特征在于，所述竖直支架包括：

a)竖直支撑装置，它包括：

    i)至少一根竖直柱杆，每根柱杆具有上端和下端，

    ii)顶盘，和

    iii)底盘，

    将至少一根所述柱杆的所述上端固定在顶盘上，而将至少一根所述柱杆的所述下端固定在所述底盘上，以及

b)多个竖直隔开的晶园片支撑装置，它们从所述竖直支撑装置延伸出来以限定多个支撑所述晶园片用的支撑层，

其中，所述晶园片支撑装置是诸突出部分，每个所述突出部分由端接在晶园片平台中的臂构成，俾使每个所述支撑层中的至少一个所述晶园片平台和其所支撑晶园片之间最深的接触处在晶园片半径的20％和80％(从所述晶园片的边缘算起)之间的区域，和

其中所述诸臂则连续向上地倾斜突出，并端接在晶园片平台中。

2.如权利要求1所述的支架，其特征在于，每个所述支撑层中的至少三个所述晶园片平台的每个平台和其所支撑晶园片之间所述最深的接触是处在所述晶园片半径的20％和80％(从所述晶园片的所述边缘算起)之间的区域。

3.如权利要求1所述的支架，其特征在于，每个所述支撑层中的至少一个所述晶园片平台和其所支撑的晶园片之间所述最深的接触是处在所述晶园片半径的33％和66％(从所述晶园片的所述边缘算起)之间的区域。

4.如权利要求1所述的支架，其特征在于，每个所述支撑层中的至少三个所述晶园片平台的每个平台和其所支撑的晶园片之间所述最深的接触是处在所述晶园片半径的33％和66％(从所述晶园片的所述边缘算起)之间的区域。

5.如权利要求1所述的支架，其特征在于，所述晶园片平台是水平的。

6.如权利要求1所述的支架，其特征在于，所述柱杆具有使其阴影投射在不大于30％的所述晶园片上的结构，其中所述的阴影百分比通过确定反应气体和/或热量在不被所述柱杆阻碍的通道中从所述柱杆周边可直接径向地行进到达所述晶园片表面的百分比加以计算。

7.如权利要求6所述的支架，其特征在于，所述诸柱杆投射阴影于不大于10％的所述晶园片上。

8.如权利要求1所述的支架，其特征在于，至少所述臂的一部分具有大约1μm的粗糙度(R_a)。

9.如权利要求1所述的支架，其特征在于，所述晶园片支撑装置具有这样的结构，其中，每个所述支撑层的所述诸晶园片平台共面至大约0.05mm以内。

10.如权利要求1所述的支架，其特征在于，所述支撑层的所述诸晶园片平台和其所支撑的晶园片之间总的接触面积是处在所述晶园片表面积的大约0.02％和大约1％之间。

11.如权利要求1所述的支架，其特征在于，它由再结晶的碳化硅构成。

12.如权利要求1所述的支架，其特征在于，它具有CVD碳化硅的外部覆盖层。

13.一种支撑多个彼此隔开的基本上水平且平行用的半导体晶园片的竖直支架，其特征在于，所述竖直支架包括：

a)竖直支撑装置，它包括：

    i)至少一根竖直柱杆，每根柱杆具有上端和下端，

    ii)顶盘，和

    iii)底盘，

    将至少一根所述柱杆的所述上端固定在所述顶盘上，而将至少一根所述柱杆的所述下端固定在所述底盘上，以及

b)多个竖直隔开的晶园片支撑装置，它们基本上水平地从所述竖直支撑装置延伸出来以限定多个支撑所述晶园片用的支撑层，

其中，所述晶园片支撑装置是诸突出部分，它们水平地突出以便从所述晶园片边缘起与晶园片连续接触，俾使每个支撑层中的至少一个所述臂和其所支撑的晶园片之间最深的接触是处在所述晶园片半径的20％和80％(从所述晶园片的边缘算起)之间的区域。

14.如权利要求13所述的支架，其特征在于，每个所述支撑层中的至少三个所述臂的每个臂和其所支撑晶园片之间所述最深的接触是处在所述晶园片半径的20％和80％(从所述晶园片的所述边缘算起)之间的区域。