[发明专利]含有多孔硅的电致发光器件

权利要求书

1.一种电致发光器件(10)，可加偏压而产生电致发光，并包括多孔硅区(22)和到多孔硅区的电学连接(24，26，28，20)，其特征在于当器件加偏压至有电流密度小于1.0Am^-2的电流流过器件(10)时，电致发光可以探测到。

2.根据权利要求1的电致发光器件，其特征在于当器件加偏压至有电流密度小于0.1Am^-2的电流流过器件时，电致发光可以探测到。

3.根据权利要求2的电致发光器件，其特征在于电致发光对人的肉眼是可见的。

4.根据权利要求2的电致发光器件，其特征在于当器件加偏压至有电流密度小于0.01Am^-2的电流流过器件时，电致发光可以探测到。

5.根据权利要求4的电致发光器件，其特征在于当器件加偏压至有电流密度小于0.0001Am^-2的电流流过器件时，电致发光可以探测到。

6.根据权利要求1至5任何一项的电致发光器件，其特征在于器件可加偏压以大于0.1％的外部量子效率产生电致发光。

7.根据权利要求1的电致发光器件，其特征在于器件可加偏压以至少0.4％的外部量子效率产生电致发光。

8.一种固态电致发光器件(10)，包括多孔硅区(22)和到多孔硅区的电学连接(24，26，28，20)，其特征在于器件可加偏压以大于0.01％的外部量子效率产生电致发光。

9.根据权利要求8的电致发光器件，其特征在于器件可加偏压以大于0.1％的外部量子效率产生电致发光。

10.根据权利要求8的电致发光器件，其特征在于器件可加偏压以在0.01％到0.18％之间的外部量子效率产生电致发光。

11.根据权利要求8的电致发光器件，其特征在于器件可加偏压以至少0.4％的外部量子效率产生电致发光。

12.根据权利要求8的电致发光器件，包括发光多孔硅区和到多孔硅区的电学连接，其特征在于多孔硅区含有p型多孔硅区(930，950)和n型多孔硅区(960)，在它们之间有一个p-n结(970)。

13.根据权利要求12的电致发光器件，其特征在于p型和n型多孔硅区(930，950，960)至少有一个是表面掺杂的。

14.根据权利要求13的电致发光器件，其特征在于p型多孔硅区(930，950)是表面掺杂的。

15.根据权利要求14的电致发光器件，其特征在于表面掺杂物是硼。

16.根据权利要求12至15任意一项的电致发光器件，其特征在于器件可加偏压以大于0.1％的外部量子效率产生电致发光。

17.根据权利要求12的电致发光器件，其特征在于器件可加偏压以至少0.4％的外部量子效率产生电致发光。

18.根据权利要求1至8的电致发光器件，其特征在于器件含有能够向多孔硅的发光区有效注入空穴的注入层。

19.根据权利要求18的电致发光器件，其特征在于注入层是多孔硅的表面区。

20.根据权利要求19的电致发光器件，其特征在于注入层在小于5伏的偏压下具有大于10^-3的少数载流子注入比。

21.根据权利要求19的电致发光器件，其特征在于注入层在小于5伏的偏压下具有大于10^-2的少数载流子注入比。

22.根据权利要求18至21任意一项的电致发光器件，其特征在于器件可加偏压以大于0.1％的外部量子效率产生电致发光。

23.根据权利要求18的电致发光器件，其特征在于器件可加偏压以至少0.4％的外部量子效率产生电致发光。

24.根据权利要求1至8的电致发光器件，其特征在于多孔硅区(22)是微孔隙(microporous)的。

25.根据权利要求24的电致发光器件，其特征在于器件可加偏压以大于0.1％的外部量子效率产生电致发光。