[发明专利]用于密封地封闭基片中腔体的方法

权利要求书

1．一种在具有一上表面的基片中用于形成抽空内腔的方法，其特征在于，包括步骤：

(a)在该基片的所述上表面中提供一第一开口，所述开口具有一第一预定深度和一预定容积，以形成一主腔体；

(b)提供一第二开口，与在步骤(a)中所提供的所述第一开口相连接，所述第二开口具有第二预定深度；

(c)对所述第一和第二开口均临时性地填充第一牺牲材料；

(d)将所述第一牺牲材料平面化以形成一平面表面；

(e)将第二材料布置在该基片的所述上表面及所述平面表面上以形成腔体的顶；

(f)仅仅在所述第二开口上面贯通所述腔体的顶而提供一第三开口；

(g)通过所述第三开口从所述腔体的顶的下方去除所述第一牺牲材料以形成一腔体；

(h)抽空在步骤(g)中形成的腔体；

(i)引入除气材料至所述第三开口中；和

(j)然后立即引入第三材料至所述第二和第三开口中，同时堵住第三开口，由此使所述第三材料包封住第三开口周围的所述第二材料，因此而封住所述抽空腔体。

2．一种如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一开口提供步骤(a)是通过直接腐蚀该基片的所述上表面而完成的。

3．一种如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一开口提供步骤(a)通过反应离子腐蚀该基片的所述上表面而实现。

4．一种如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二开口提供步骤(b)通过控制所述第二预定深度以小于所述第一开口的所述第一预定深度而实现。

5．一种如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述临时性质填充步骤(c)通过淀积一作为所述第一牺牲材料的有机材料而实现。

6．一种如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述临时性填充步骤(c)通过淀积作为所述第一牺牲材料的聚对苯二甲基而实现。

7．一种如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二材料布置步骤(e)通过分布一无机材料而实现。

8．一种如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一牺牲材料去除步骤(g)通过各向同性地腐蚀所述第一牺牲材料而实现。

9．一种如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一牺牲材料去除步骤(g)通过使用氧等离子体来腐蚀所述第一牺牲材料而实现。

10．一种如权利要求1所述的方法，其特在于，所述第三材料引入步骤(j)通过溅射淀积所述第三材料而实现。

11．一种如权利要求1所述的方法，其特征在，所述第三材料引入步骤(j)通过溅射淀积一无机材料而实现。

12．一种如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述除气材料引入步骤(i)包括将一无机除气材料引入到至少是所述第三开口中。

13．一种如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述除气材料引入步骤(i)包括引入一种材料，该材料从适合于除去氧气的材料及适合于去除含硫气体的材料中选择。

14．一种如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述除气材料引入步骤(i)包括引入一种材料，该材料从Th的Ca,Ba,Ti合金中选择一种。