[发明专利]电可擦除可编程的、非易失的存储单元

权利要求书

1.电可擦除可编程的、非易失的存储单元，仅由一个通过源-沟道-漏结形成的MOS晶体管构成，

-其中，在一个第一导电类型的半导体衬底(1)中，构成具有与第一导电类型的极性相反的极性的第二导电类型的一个漏区(2)和一个源区(3)；

-具有一个处于悬浮电位的栅极(4)，该栅极(4)通过隧道氧化物(5)对漏区(2)电绝缘，并通过一个栅氧化物(5、10)对位于漏区(2)和源区(3)之间的沟道区(9)电绝缘，以及沿源沟道-漏方向至少在沟道区(9)的一部分和漏区(2)的一部分上伸展，并且

-具有一个控制极(7)，该控制极(7)通过耦合氧化物(8)对栅极(4)电绝缘，

其特征在于，

-为了对存储单元进行编程，一个高的负电压加到控制极(7)上，供电电压加到漏极(D)上，并且零V加到源极(S)上，并且

-为了对存储单元进行擦除，一个高的正电压加到控制极(7)上，一个负电压加到源极(S)上，并且漏极(D)是不连接的。

2.按照权利要求1所述的存储单元，

其特征在于，栅极(4)在整个沟道区(9)上伸展。

3.按照权利要求1所述的存储单元，

其特征在于，沟道区(9)上方的氧化物层分成一个使栅极(4)电容性地耦合到沟道区(9)上的第一栅氧化物区(5)和一个第二栅氧化物(10)，其中，第二栅氧化物区(10)使控制极(7)的部分区域电容性地耦合到沟道区(9)上。

4.按照以上权利要求之一所述的存储单元，

其特征在于，隧道氧化物(6)比栅氧化物(5)薄。

5.按照权利要求4所述的存储单元，

其特征在于，栅氧化物(5)一直伸展到从漏区(2)到沟道区的过渡区内，并且与漏区(2)部分重叠。

6.按照以上权利要求之一所述的存储单元，

其特征在于，MOS晶体管是在第一导电类型的一个阱内构成的，该阱处在第二导电类型的一个深阱内。

7.按照权利要求6所述的存储单元，

其特征在于，MOS晶体管连同一个标准CMOS逻辑电路和/或一个高压电路安置在一个半导体衬底(1)中。