[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.半导体器件的制造方法，包括以下步骤：

制备其上形成有多个半导体元件的半导体晶片；

用第1基片覆盖所述半导体晶片；

通过用刻蚀液接触所述半导体晶片的背面并沿所述半导体晶片的背面相对高速移动刻蚀液和所述半导体晶片来减薄半导体晶片；

完全切割所述半导体晶片将所述半导体晶片分割成多个芯片；以及

将所述芯片固定于第2基片，所述芯片与所述第2基片相对的表面是置有所述半导体元件的表面。

2.权利要求1的半导体器件的制造方法，其特征在于：减薄所述半导体晶片的所述步骤通过将所述半导体晶片的所述背面与所述刻蚀液接触并旋转所述半导体晶片来进行。

3.权利要求2的半导体器件的制造方法，其特征在于：以每分钟超过1000转的转速旋转所述半导体晶片。

4.权利要求1的半导体器件的制造方法，其特征在于：减薄所述半导体晶片的所述步骤通过将所述半导体晶片的所述背面与所述刻蚀液接触并旋转所述半导体晶片来进行。

5.权利要求1的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述第1基片为带。

6.权利要求5的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述带为包含有机材料的软带。

7.权利要求5的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述带由框架支撑。

8.权利要求7的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述框架为环形框。

9.权利要求1的半导体器件的制造方法，其特征在于：将所述芯片固定于所述第2基片的所述步骤通过选择性加热所述芯片并将其推出到所述第2基片来进行。

10.权利要求1的半导体器件的制造方法，其特征在于：将所述芯片固定于所述第2基片的所述步骤通过用位于所述带下方的加热头推压和加热所述芯片来进行。

11.权利要求1的半导体器件的制造方法，其特征在于：用形成在所述第2基片表面上的粘结剂层将所述芯片固定于所述第2基片。

12.权利要求11的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述粘结剂层为各向异性导电粘结剂层。

13.权利要求12的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述各向异性导电粘结剂层包含有机材料和导电颗粒。

14.权利要求1的半导体器件的制造方法，其特征在于：使用面朝下键合工艺将所述芯片表面上形成的电极电连接于所述第2基片表面上形成的电极。

15.权利要求1的半导体器件的制造方法，其特征在于：在减薄所述半导体晶片的步骤和将所述半导体晶片分割成多个芯片的步骤之间加入用第3基片覆盖减薄了厚度的半导体晶片的背面的步骤。

16.权利要求15的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述第3基片为软带。

17.权利要求1的半导体器件的制造方法，其特征在于：减薄所述半导体晶片的所述步骤将半导体晶片的厚度减薄至0.1～110微米。

18.权利要求1的半导体器件的制造方法，其特征在于：在将所述芯片固定于所述第2基片的所述步骤之前进行在芯片上形成预定形状的钝化膜的步骤和在芯片上形成厚度小于所述钝化膜的电极的步骤。

19.权利要求18的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述电极形成于所述芯片的面对第2基片的表面上，不形成到芯片上的钝化膜上。