[发明专利]单片线性光耦合器的制造方法

权利要求书

1.一种制造单片半导体结构的方法，包括步骤，(a)把多个沟道蚀刻到n型硅晶片中；(b)把n型材料扩散到所述晶片中以形成N⁺层；其特征在于，该方法还包括以下步骤：

(c)在所述N⁺层上形成第一氧化物层；

(d)将硅材料沉积在该中间结构上以填充所述各沟道并提供机械稳定性；

(e)从底部磨光所述硅晶片以暴露所述N⁺层的各部分；

(f)使用以电介质绝缘的槽形成多个P⁺区域，以覆盖所述N⁺层的所述各暴露的部分，并形成具有负极和正极的至少一光电二极管；

(g)在有所述各P⁺区域的一侧的结构上添加第二氧化物层；以及

(h)在所述第二氧化层上添加基底。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述形成P⁺区域的步骤包括形成具有负极和正极的第一光电二极管，及形成具有负极和正极的第二光电二极管。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于进一步包括以下步骤：

(i)适当地蚀刻所述硅材料以形成多个空隙；

(j)经由所述各空穴把多个焊接区和引线加到所述第一和第二光电二极管的负极和正极。

4.一种制造单片半导体器件的方法，包括步骤：(a)在硅晶片的顶表面中形成多个沟道；(b)在所述晶片的顶表面及所述各沟道的内表面上形成N⁺区域，其特征在于，该方法还包括以下步骤：

(c)在所述N⁺区上形成第一氧化物层；

(d)去除所述硅晶片以暴露所述N⁺区的各部分；

(e)形成覆盖所述N⁺区的所述各暴露部分的多个P⁺区域，并形成具有负极和正极的至少一光电二极管；

(f)有所述各P⁺区域的一侧的结构上添加第二氧化物层；以及

(g)在所述第二氧化物层上添加基底。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于所述形成P⁺区的步骤包括形成具有负极和正极的第一光电二极管，及形成具有负极和正极的第二光电二极管。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于还包括给所述第一和第二光电二极管的负极和正极提供电连接的步骤。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于还包括在所述器件的上表面上形成发光二极管的步骤。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于还包括在所述器件的上表面上附加具有面向所述器件的上表面的反射层的光学透明罩的步骤。