[发明专利]单片线性光耦合器

权利要求书

1.一种单片线形光耦合器，包括：

(a)发光二极管，用于发射光线；

(b)与所述发光二极管在同一单片上形成的第一光电二极管，用于根据其感测的光产生电流；

(c)与所述发光二极管在同一单片上形成的第二光电二极管，用于根据其感测的光产生电流；以及

(d)绝缘体，用于使所述发光二极管与所述第一光电二极管电绝缘，所述绝缘体对于由所述发光二极管发射的光透明，

其特征在于所述第二光电二极管围绕所述发光二极管，并且所述第一光电二极管围绕所述第二光电二极管，使得由所述发光二极管发出的光的各方向不均匀性得到补偿。

2.如权利要求1所述的单片线形光耦合器，其中所述第一光电二极管是根据其检测的光来产生输出信号的输出信号光电二极管，所述第二光电二极管是根据其检测的光来产生反馈控制信号的反馈控制信号光电二极管。

3.如权利要求1所述的单片线形光耦合器，其中所述第二光电二极管确定一平面，在该平面中所述第二光电二极管围绕所述发光二极管的垂直投射于该平面的投影。

4.如权利要求3所述的单片线形光耦合器，其中所述第一光电二极管在由所述第二光电二极管所确定的所述平面中围绕所述第二光电二极管。

5.如权利要求1所述的单片线形光耦合器，其中所述绝缘体是厚的氧化物层。

6.如权利要求5所述的单片线形光耦合器，其中所述绝缘体是厚的二氧化硅层。

7.如权利要求1所述的单片线形光耦合器，其中所述第一光电二极管通过在p掺杂半导体的槽中充填n掺杂半导体而形成。

8.如权利要求1所述的单片线形光耦合器，其中所述第二光电二极管通过在p掺杂半导体的槽中充填n掺杂半导体而形成。

9.如权利要求1所述的单片线形光耦合器，还包括：

(e)具有上表面的基底；以及

(f)在所述基底的上表面上形成的具有上表面的电绝缘层，

其中所述第一光电二极管形成在所述电绝缘层的上表面上，

其中所述第二光电二极管形成在所述电绝缘层的上表面上，与所述第一光电二极管隔开，从而确定所述电绝缘层上表面中未被所述第一或第二光电二极管覆盖的区域，

其中所述绝缘体形成在所述电绝缘层的上层之上并基本上覆盖了所述第一和第二光电二极管的每一个，从而使所述第一光电二极管与所述第二光电二极管电绝缘，并且

其中所述发光二极和位于所述绝缘体的暴露的上表面上，从而所述发光二极管与所述第一光电二极管电绝缘。

10.如权利要求9所述的单片线形光耦合器，其中所述第二光电二极管确定一平面，在该平面中所述第二光电二极管围绕所述发光二极管的垂直投射到该平面的投影。

11.如权利要求10所述的单片线形光耦合器，其中所述第二光电二极管在电绝缘层的俯视图中呈矩形。

12.如权利要求10所述的单片线形光耦合器，其中所述第二光电二极管在电绝缘层的俯视图中呈正方形。

13.如权利要求10所述的单片线形光耦合器，其中所述第二光电二极管在电绝缘层的俯视图中呈八边形。

14.如权利要求9所述的单片线形光耦合器，其中所述第一光电二极管做成围绕所述第二光电二极管的形状。

15.如权利要求14所述的单片线形光耦合器，其中所述第一光电二极管在电绝缘层的俯视图中呈矩形。

16.如权利要求14所述的单片线形光耦合器，其中所述第一光电二极管在电绝缘层的俯视图中呈正方形。

17.如权利要求14所述的单片线形光耦合器，其中所述第一光电二极管在电绝缘层的俯视图中呈八边形。

18.如权利要求9所述的单片线形光耦合器，其中所述第一光电二极管通过在p掺杂半导体的槽中充填n掺杂半导体而形成。

19.如权利要求9所述的单片线形光耦合器，其中所述第二光电二极管通过在p掺杂半导体的槽中充填n掺杂半导体而形成。

20.如权利要求1所述的单片线形光耦合器，还包括一反射罩，用于反射由所述发光二极管发出的光，所述反射罩设置在所述发光二极管和所述绝缘体之上，从而确定了一光学腔。