[发明专利]一种多蕊超导复合元件

权利要求书

1.一种多蕊超导复合元件，包括多个基本电去耦区域和至少一个含绝缘材料的超导丝去耦层；每个区域包含基体和至少一个由期望超导氧化物构成的精细超导丝，超导丝去耦层分布于元件中，达到区域的基本电去耦；所述绝缘材料的电阻率至少比所述基体的电阻率高10倍。

2.权利要求1中的元件，其中超导丝去耦层的绝缘材料厚度小于超导丝横截面的最大尺寸。

3.权利要求2中的元件，相邻区域间的直接高电导通路至少有50％被超导丝去耦层阻隔。

4.权利要求3中的元件，其中相邻区域间的直接高电导通路至少有85％，且不大于99％被超导丝去耦层所阻隔。

5.权利要求4中的元件，其中相邻区域间的直接高电导通路不大于95％被超导丝去耦层所阻隔。

6.权利要求2中的元件，其中所述绝缘材料的电阻率至少20μohm cm。

7.权利要求6中的元件，其中所述绝缘材料的电阻率至少100μohm cm。

8.权利要求2中的元件，其中所述超导丝为扭曲的超导丝。

9.权利要求8中的元件，其中超导丝去耦层为扭曲的超导丝去耦层。

10.权利要求2中的元件，其中每个电去耦区包括1-3根超导丝。

11.权利要求10中的元件，其中每个电去耦区包括1根超导丝。

12.权利要求2的元件，再包含一基体，

其中超导丝去耦层置于基体之内，将基体分成多个基本电去耦区域和，

超导丝置于基体之内，被基体基本包裹，并因此与超导丝去耦层化学分离。

13.权利要求12中的元件，其中超导丝去耦层基本上沿着元件长度延伸，方向与超导丝平行。

14.权利要求13中的元件，其中去耦层以封闭式几何形状分布。

15.权利要求14中的元件，其中去耦层以环状结构分布。

16.权利要求12中的元件，其中去耦层以开放式几何形状分布。

17.权利要求16中的元件，其中去耦层以星状、星包星状或蜈蚣形状分布。

18.权利要求12中的元件，其中去耦层包含选自元素氧化物、硫化物、氮化物、半导体和金属间化合物的材料。

19.权利要求18中的元件，其中去耦层包括选自过渡金属、碱土金属、钛、锆、铌、钼、铅及其合金的氧化物、硫化物和氮化物的材料。

20.权利要求19中的元件，其中去耦层包括选自过渡金属、碱土金属、钛、锆、铌、钼、铅及其合金的氧化物的材料。

21.权利要求20中的元件，其中去耦层包括选自锆、铌、钼、铪、钽、钨、钛、钒、锰、钴、铱、镍、铁、铬及其合金的氧化物材料。

22.权利要求21中的元件，其中去耦层包括选自镍、铁、锆、铌、钼及其合金的氧化物材料。

23.权利要求12中的元件，其中基体包括贵金属。

24.权利要求12中的元件，其中元件进一步包括包绕基体的导电包衣层。

25.权利要求24中的元件，其中包衣层的电阻率至少等于基体的电阻率。

26.权利要求25中的元件，其中包衣层的电阻率为0.5-10μohm cm。

27.权利要求26中的元件，其中绝缘材料的厚度为0.01-5微米。

28.权利要求1中的元件，其中期望氧化物超导体中包括从铋、铊、汞，或稀土族氧化物超导体中选出的氧化物超导体。

29.权利要求28中的元件，其中期望氧化物超导体包含铋或钇族氧化物超导体。

30.权利要求1中的元件，其中元件为电线、带状、棒状、层状、管状、电缆状或薄片状。

31.权利要求30中的元件，其中元件为电线或带状。