[发明专利]生产碳化硅单晶的方法无效
| 申请号： | 96195700.X | 申请日： | 1996-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN1085746C | 公开（公告）日： | 2002-05-29 |
| 发明（设计）人： | 勒内·斯坦;罗兰·鲁普;约翰尼斯·沃尔科 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | C30B7/00 | 分类号： | C30B7/00;C30B7/10;C01B31/36 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 范明娥 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生产 碳化硅 方法 | ||
【权利要求书】：
1.生产碳化硅单晶的方法，其中
a)在一个耐压容器中装入一种溶剂、固体形式的原料和至少一个晶核，
b)在容器中产生一个超过105Pa的压力，该压力使得至少一种原料至少部分地溶解在溶剂中，
c)其中要这样选择溶剂和原料，使得由原料和溶剂形成的溶液既含有硅又含有碳，和
d)由溶液在至少一个晶核上生长成为一个碳化硅单晶；
其中，使用碳化硅为固体原料且选择含有水的溶剂作为溶剂。
2.根据权利要求1的方法，其中使用含有至少硅和碳两种元素之一的溶剂。
3.根据权利要求1的方法，其中通过添加电解质改变水的pH值。
4.根据权利要求1-3中任一项的方法，其中使用含有烃化合物的溶剂。
5.根据权利要求1-3中任一项的方法，其中在耐压容器中添加至少一种掺杂物以便掺杂生长的碳化硅单晶。
6.根据权利要求1-3中任一项的方法，其中通过加入热量来调节容器的压力。
7.根据权利要求1-3中任一项的方法，其中容器中的压力调节到至少107Pa。
8.根据权利要求1-3中任一项的方法，其中原料的温度保持高于至少一个晶核的温度。
9.根据权利要求1-3中任一项的方法，其中用物理方法从溶剂中至少基本上除去溶解在溶剂中的氧。
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