[发明专利]碳化硅宝石

权利要求书

1.一种制造具有抛光刻面的人造碳化硅宝石成品的方法，所述方法包括以下步骤：

生长人造碳化硅的单晶；和

批刻面并抛光上述碳化硅单晶制成宝石成品。

2.根据权利要求1的方法，其中人造碳化硅的晶体结构选自6H SiC和4H SiC。

3.根据权利要求1的方法，其中所述人造碳化硅单晶体为无色的，由此制成一种仿金刚石宝石。

4.根据权利要求3的方法，其中所述的刻面是钻石式刻面。

5.根据权利要求4的方法，其中的钻石式是圆的光泽式。

6.根据权利要求3的方法，其中人造碳化硅的晶体结构选自6H SiC和4H SiC。

7.根据权利要求6的方法，其中无色人造碳化硅晶体是本征碳化硅。

8.根据权利要求1的方法，其中人造碳化硅单晶体含有掺杂剂原子，其中掺杂剂原子的浓度足以产生肉眼可辩的颜色。

9.根据权利要求8的方法，它具有选自下表的颜色、晶体结构和掺杂特征：

颜色       晶体结构     掺杂特征

蓝色       6H SiC       Al-掺杂的

紫色       6H SiC       高Al-掺杂的

紫色       24R SiC      N-掺杂的

绿色       6H SiC       N-掺杂的

黄色       3C SiC       未掺杂的

黄-绿色    3C SiC       N-掺杂的

红色       27R SiC      N-掺杂的

淡棕色     4H SiC       低N-掺杂的

黄橙色       8H SiC        N-掺杂的。

10.根据权利要求8的方法，其中掺杂剂原子以每立方厘米10¹⁵-10¹⁹载流子原子的浓度存在于人造碳化硅晶体中。

11.根据权利要求9的方法，其中掺杂剂原子以每立方厘米10¹⁵-10¹⁹载流子原子的浓度存在于人造碳化硅晶体中。

12.根据权利要求8的方法，其中人造碳化硅的晶体结构选自6H SiC和4H SiC。

13.根据权利要求1的方法，包括生长无色的碳化硅单晶步骤。

14.根据权利要求13的方法，包括在升华系统内由籽晶生长碳化硅单晶的步骤。

15.根据权利要求13的方法，包括生长6H SiC单晶的步骤。

16.根据权利要求15的方法，包括生长本征6H SiC单晶的步骤。

17.根据权利要求13的方法，包括生长4H SiC单晶的步骤。

18.根据权利要求17的方法，包括生长本征4H SiC单晶的步骤。

19.根据权利要求1的方法，其中生长碳化硅单晶的步骤包括选择性地掺杂晶体以产生所需颜色和色调的晶体。

20.根据权利要求19的方法，其中宝石成品的颜色，碳化硅单晶的晶体结构和产生上述颜色的碳化硅单晶的掺杂特征选自：

a)蓝色       6H SiC       Al-掺杂的

b)紫色       6H SiC       高Al-掺杂的

c)紫色       24R SiC      N-掺杂的

d)绿色       6H SiC       N-掺杂的

e)黄色       3C SiC       未掺杂的

f)黄-绿色    3C SiC       N-掺杂的

g)红色       27R SiC      N-掺杂的

h)淡棕色     4H SiC       低N-掺杂的

i)黄橙色     8H SiC       N-掺杂的。