[发明专利]基片定位装置在审
申请号: | 96196699.8 | 申请日: | 1996-08-12 |
公开(公告)号: | CN1195378A | 公开(公告)日: | 1998-10-07 |
发明(设计)人: | M·R·哈姆斯;R·J·福斯;J·L·特赖斯;T·D·尼文 | 申请(专利权)人: | 美国3M公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;C23C14/54;H01L21/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 任永武 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 定位 装置 | ||
1.一种在将材料淀积于基片上的过程中使用的定位装置,该定位装置包括:
一第一板;
一在将材料淀积于基片上的过程中支承基片的第二板,基片支承于该第二板与第一板相对的一侧上;
多个设置于第一板与第二板之间的热电装置,这些热电装置同时与第一板和第二板保持热联系;以及
一控制各热电装置在材料淀积于基片上的过程中产生足以基本保持所需基片温度的热能的装置,
其中,一部分热能通过第二板传递到基片,一部分热能通过第一板传递离开热电装置。
2.如权利要求1所述的定位装置,其特征在于,它还包括一用于感应至少一个能表示在将辐射敏感材料淀积于基片上的过程中基片温度的参数的温度感应装置,其中,控制装置响应感应装置所感应到的参数而控制各热电装置。
3.如权利要求1所述的定位装置,其特征在于,各热电装置是珀尔帖效应热电装置,控制装置控制施加于各珀尔帖效应热电装置上的电流的极性来加热和冷却基片。
4.如权利要求1所述的定位装置,其特征在于,热电装置在第一板和第二板一个表面上配置成一阵列。
5.如权利要求1所述的定位装置,其特征在于,它还包括一邻接于第二板并与第一板相对而设置的第三板,该第三板具有一接纳基片的第一孔;以及一邻接于第三板并与第二板相对而设置的第四板,该第四板具有一暴露基片以便进行材料的淀积的第二孔,其中,第四板遮住一部分基片以防被淀积,并保持基片抵靠于第二板。
6.如权利要求5所述的定位装置,其特征在于,第四板由不锈钢构成。
7.如权利要求5所述的定位装置,其特征在于,第四板和第二孔的尺寸制成使得第四板基本上将第一板、第二板和热电装置与材料相隔离。
8.如权利要求1所述的定位装置,其特征在于,第一板具有一相变材料,该相变材料响应于第一板所传递的热量而变相,该相变材料可增强第一板的热量传递。
9.如权利要求1所述的定位装置,其特征在于,它还包括多个形成于第一板上的口和使液体通过这些口而增强第一板的热量传递的装置。
10.如权利要求1所述的定位装置,其特征在于,感应至少一个能表示基片温度的参数的装置具有一邻接于第二温度感应装置和基片中的一个而设置的温度感应装置。
11.如权利要求1所述的定位装置,其特征在于,这种材料是辐射敏感材料。
12.如权利要求11所述的定位装置,其特征在于,该辐射敏感材料是硒。
13.如权利要求1所述的定位装置,其特征在于,该定位装置安装于汽相淀积室内,将材料汽相淀积于基片上。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的