[发明专利]薄膜信息载体及其制造方法与制造装置无效
申请号: | 96196867.2 | 申请日: | 1996-03-27 |
公开(公告)号: | CN1196135A | 公开(公告)日: | 1998-10-14 |
发明(设计)人: | 巴利斯·伊里伊奇·别洛索夫;安东·巴利索维奇·别洛索夫;米哈伊尔·尤里安诺维奇·康德拉剑柯;斯维亚特斯拉夫·埃里塞维奇·基姆 | 申请(专利权)人: | 巴利斯·伊里伊奇·别洛索夫;安东·巴利索维奇·别洛索夫;米哈伊尔·尤里安诺维奇·康德拉剑柯;斯维亚特斯拉夫·埃里塞维奇·基姆 |
主分类号: | G21H5/00 | 分类号: | G21H5/00;B41N1/14 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 马浩 |
地址: | 俄罗斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 信息 载体 及其 制造 方法 装置 | ||
1.一种信息载体,具有至少包括一层聚合物材料的薄膜结构(1),该聚合物材料层具有起伏的表面,其特征在于:该起伏表面是由具有旋转体形式的凹坑(3、4、5)和/或通孔(2、4、6)组成。
2.如权利要求1所述的载体,其特征在于:所述凹坑、通孔以及被裂解聚合物材料区域,在聚合物材料的表面上具有的直径(d)在从0.001微米至20微米的范围内。
3.如权利要求1所述的载体,其特征在于:所述凹坑与通孔具有相同的直径。
4.如权利要求1所述的载体,其特征在于:所述凹坑具有不同的深度。
5.如权利要求1所述的载体,其特征在于;至少部分凹坑与通孔被各向异性材料填充。
6.如权利要求1所述的载体,其特征在于:至少部分凹坑与通孔被透明的导电材料填充。
7.如权利要求1所述的载体,其特征在于:至少部分凹坑与通孔被具有磁性的物质填充。
8.如权利要求1所述的载体,其特征在于:至少部分凹坑与通孔被染色物质填充。
9.如权利要求1所述的载体,其特征在于:至少部分凹坑与通孔被疏水物质或亲水物质填充。
10.如权利要求1所述的载体,其特征在于:至少部分凹坑与通孔被荧光物质填充。
11.如权利要求1所述的载体,其特征在于:部分凹坑与通孔被相应聚合物层的裂解材料填充。
12.如权利要求1所述的载体,其特征在于:所述薄膜结构至少包括一个磁性材料层(12)。
13.如权利要求1所述的载体,其特征在于:所述薄膜结构至少包括一个偏光材料层。
14.如权利要求1所述的载体,其特征在于:所述薄膜结构至少包括一个亲水或疏水层。
15.如权利要求1所述的载体,其特征在于;所述薄膜结构至少包括一个荧光材料层。
16.如权利要求1所述的载体,其特征在于:所述薄膜结构至少包括一个局部覆盖聚合物材料层的金属层。
17.如权利要求1所述的载体,其特征在于:所述薄膜结构的至少一个层由热塑材料制成。
18.如权利要求1所述的载体,其特征在于:所述薄膜结构的各层由具有不同频谱特性的聚合物材料制成。
19.如权利要求1所述的载体,其特征在于:所述薄膜结构的各层由具有不同折射系数的聚合物材料制成。
20.如权利要求1所述的载体,其特征在于:所述薄膜结构在其中的一个面上具有栅网(16),该栅网由孔径等于或大于20微米的聚合物材料或金属制成。
21.如权利要求20所述的载体,其特征在于:作为栅网的聚合物材料使用聚酯合成纤维。
22.一种制造用于保护制品和文件不被仿造与复制的薄膜信息载体的方法,包括在至少具有一个层的聚合物薄膜上形成标记,其特征在于;所述标记通过用重离子(27)对聚合物薄膜进行辐照的方法形成,用以形成第一隐蔽图象;随后用紫外辐射(31)对薄膜曝光,用以形成第二隐蔽图象,以及对薄膜蚀刻,用以产生凹坑与通孔形式的标记。
23.如权利要求22所述的制造方法,其特征在于:所述对聚合物薄膜的辐照用空间调制的重离子来实现。
24.如权利要求23所述的制造方法,其特征在于,所述用重离子对薄膜的辐照通过掩膜(30)来实现。
25.如权利要求22-24所述的制造方法,其特征在于:作为重离子可使用氯离子、氮离子、氧离子、氩离子和碳离子。
26.如权利要求22-25所述的制造方法,其特征在于:离子的类型及其能量,依照其穿透聚合物薄膜的整个厚度的可能性进行选择。
27.如权利要求22-26所述的制造方法,其特征在于:实现重离子的辐照,按照重离子传播方向同聚合物薄膜表面间角度的给定变化来进行。
28.如权利要求27所述的制造方法,其特征在于:离子运动方向与薄膜表面之间的角度是恒定的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于巴利斯·伊里伊奇·别洛索夫;安东·巴利索维奇·别洛索夫;米哈伊尔·尤里安诺维奇·康德拉剑柯;斯维亚特斯拉夫·埃里塞维奇·基姆,未经巴利斯·伊里伊奇·别洛索夫;安东·巴利索维奇·别洛索夫;米哈伊尔·尤里安诺维奇·康德拉剑柯;斯维亚特斯拉夫·埃里塞维奇·基姆许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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