[发明专利]通用的发送器装置无效
申请号: | 96196951.2 | 申请日: | 1996-07-24 |
公开(公告)号: | CN1099162C | 公开(公告)日: | 2003-01-15 |
发明(设计)人: | M·赫堡 | 申请(专利权)人: | 艾利森电话股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/094 | 分类号: | H03K19/094 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 程天正,傅康 |
地址: | 瑞典斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通用 发送 装置 | ||
技术领域
本发明涉及用来以二进制电信号的形式向接收器装置发送数字信息的发送器装置。所述发送器装置包括N-MOS晶体管及P-MOS晶体管。每一个N-MOS晶体管具有N-沟道,每一个P-MOS晶体管具有P-沟道。
背景技术
电子技术及设计方面的进展,尤其是为改进功耗及速度等性能所作的努力,已对电路与电路板之间的二进制电信令引出很多概念。早期的概念为DTL(二极管-晶体管逻辑)、TTL(晶体管-晶体管逻辑)及ECL(射极耦合逻辑)。这些概念采用所谓的单端信令。更近斯的概念经常采用称为差分信令(differentialsignalling)、亦称为平衡信令的技术,这种技术使用两条信令线。这样的概念为DPECL(差示伪射极耦合逻辑)、LVDS(低压差示信令)及GLVDS(接地的低压差分信令)。在瑞典专利申请SE 9304025-1及SE 9400971-9中,公开了GLVDS。
虽然上述差示信令概念确实是差示的,但是,但两条信令线的每一条都工作在相对于地为固定的标称电压。每一条线工作于分别称为低电压电平及高电压电平的两个电压电平。
DPECL一般具有信令低压电平3.4V及高压电平3.9V。另一方面,LVDS具有低电平0.95V及高电平1.45V,而GLVDS具有低电平0V及高电平0.5V。这些电压都相对于地而言。
上述各类信令概念的发送器装置及接收器装置分别发送及接收在相当窄的电压区间内的信号。特别是,用来在接近于地电平的电位进行信令工作的发送器装置及接收器装置,例如GLVDS,一般仅对低信令电压电平(例如,小于1V)工作。这样的发送器装置与要求其它信令电压电平的不同信令概念的接收器装置并不兼容。
为工作于信令电压电平在宽广范围内的通用发送器装置设计电子电路是一个待解决的问题。
在US 5179293中,公开了一种用来在导通方式与禁止方式之间切换双极输出级的技术和电路。在禁止方式下,使输出级处于去激励状态,该级的输出节点呈现高阻抗。
在US 531 9259中,公开了一种适用于各种电源电压(其中包括电源电压小于5伏)的输出级。当超出合理范围的电压加到这种输出级的输出焊盘上时,该输出级允许正常工作。
在US 5111080中,公开了一种把一个信号变换成两个互补信号的信号发送电路,这两个互补信号通过串联电阻从信号发送电路输出。该串联电阻及信号接收端提供的端接电阻减小了这两个互补信号中每一个信号的幅度。信号接收端移动其接收到的输入电平。通过高输入阻抗的差分放大电路放大该电平已被移动的信号。
发明内容
本发明的一个目的是解决上述为工作于宽广的信令电压范围内的通用发送器装置设计电子电路的问题。
借助于包括晶体管对的发送器装置实现了这一目的。每一个晶体管对本身包括一个N-MOS晶体管及一个P-MOS晶体管。一对中的N-MOS晶体管的N-沟道与同一对中的P-MOS晶体管的P-沟道并联连接。在第一工作方式下,N-MOS晶体管是导通的;在第二工作方式下,P-MOS晶体管是导通的。通过具有互补值的信号来控制这一对中N-MOS晶体管的栅极端及同一对中P-MOS晶体管的栅极端。
根据本发明的发送器装置与几种现有信令概念(例如DPECL、LVDS及GLVDS)的接收器装置兼容。还可以相信,根据本发明的发送器装置与未来的信令概念兼容。这种发送器装置的信令电压的范围为:从稍负的值(例如,-0.5V)一直到几伏(例如,5V)左右。
附图说明
根据参照附图的下列描述,本发明连同进一步的目的及其优点将变得很清楚,其中:
图1为根据本发明信号发送器装置的电路图;
图2为根据本发明信号发送器装置的电路图,这里,把衬底连接到分压网络上;
图3以图示出在不同信令电压下的工作方式;
图4以图示出在根据本发明的发送器装置中,在不同的电压下,N-MOS晶体管及P-MOS晶体管的电导率;
图5示出包括根据本发明的发送器装置在内的发送器装置单元,该信号发送器装置从接收器装置单元接受其电源电压;
图6示出包括根据本发明信号的发送器装置在内的发送器装置单元,该信号发送器装置从该发送器装置单元接受其电源电压,所述电源电压由接收器装置单元来确定。
具体实施方式
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