[发明专利]红外光学系统无效

专利信息
申请号: 96198335.3 申请日: 1996-11-11
公开(公告)号: CN1077286C 公开(公告)日: 2002-01-02
发明(设计)人: T·阿什利;C·T·艾利奥特;N·T·戈登;R·S·哈尔 申请(专利权)人: 英国国防部
主分类号: G01J5/06 分类号: G01J5/06
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王勇,傅康
地址: 英国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 红外 光学系统
【权利要求书】:

1.一种红外光学系统,包括探测器(112)和一个放在杂散光射向探测器(112)的光路上从而使杂散光免于射向探测器(112)的光阑(126),其特征在于光阑(126)显示负性冷光以减少入射到探测器(112)上的光辐射。

2.根据权利要求1的系统,其特征在于光阑含有一个与系统(100)光轴(128)同轴的中心孔。

3.根据权利要求1或2的系统,具有用于将红外辐射定向到探测器上的单个物镜(118)和一个为探测器提供的冷屏蔽罩(114),其特征在于光阑(126)被放置在透镜(118)和冷屏蔽罩(114)之间。

4.根据权利要求1或2的系统,具有多个聚焦元件,它们被组合在一起将景物成象于探测器上,其特征在于光阑(126)被置于系统的聚焦元件的探测器中间。

5.根据权利要求4的系统,其特征在于光阑(126)被放置在探测器(112)和距探测器最近的那个聚焦元件之间。

6.根据权利要求4的系统,其特征在于光阑(126)被置于多个聚焦元件中间的某个焦平面上。

7.根据权利要求1或2的系统,其特征在于光阑(126)被置于探测器和与探测器最近的光学元件之间。

8.根据权利要求1的系统,其特征在于光阑(126)至少部分地包含可以加上电偏置以产生负性冷光的半导体材料。

9.根据权利要求8的系统,其特征在于半导体材料是碲化镉汞,以锑化铟为基础的材料或任何其它显示负性冷光的II-VI族三元化合物。

10.屏蔽红外探测器(112)以避免其遭受边带辐射(134)的方法,此方法包含如下各步:

(a)为此探测器提供一个光阑(126),此光阑包含一个入射光孔,该光阑(126)至少部分地含有负性冷光材料;

(b)电控此负性冷光材料使它发出的红外光强低于周围环境的水平;且

(c)通过此负性冷光光阑(126)的入射孔将景物的光辐射聚焦在探测器(112)上。

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