[发明专利]分子筛及其制备方法

权利要求书

1.一种结构，该结构包括基质、分子筛层和附加层，该附加层是由熔点不低于1800℃的耐火材料制成的。

2.一种结构，该结构包括基质、分子筛层以及附加层，该附加层是由不同于氧化硅的耐火材料制成的。

3.一种结构，该结构包括基质、中间层、上层和耐火材料层，其中中间层包括晶体尺寸不超过1μm的结晶分子筛；上层包括结晶分子筛，而且该层中的晶体至少有一个尺寸大于中间层晶体的诸尺寸；耐火材料具有不低于1800℃的熔点或者是不同于氧化硅的耐火材料。

4.一种结构，该结构包括基质、中间层、上层和耐火材料层，其中中间层包括晶体尺寸不超过1μm的结晶分子筛；上层包括结晶分子筛，而且在该层顶面的晶粒至少有75％朝上层与中间层之间的界面方向延伸；耐火材料具有不低于1800℃的熔点或者是不同于氧化硅的材料。

5.一种结构，该结构包括基质、中间层、上层和耐火材料层，其中中间层包括晶体尺寸不超过1μm的结晶分子筛；上层包括结晶分子筛，而且该层晶体具有结晶选择定向(CPO)；耐火材料具有不低于1800℃的熔点或者是不同于氧化硅的耐火材料。

6.根据权利要求3至5中任何一项的结构，其中中间层基本上没有穿越该层厚度的空隙。

7.根据权利要求1至6中任何一项的结构，其中分子筛的晶体间是连续的。

8.根据权利要求1至7中任何一项的结构，其中耐火材料是氮化物或碳化物。

9.根据权利要求1至8中任何一项的结构，其中耐火材料是氮化钛。

10.根据权利要求1至8中任何一项的结构，其中耐火材料是碳化硅或氮化硼。

11.根据权利要求1至10中任何一项的结构，其中耐火材料对水是不敏感的。

12.根据权利要求1至11中任何一项的结构，其中耐火材料层的厚度在1nm至1μm范围内，从10至500nm比较有利，优选从20至300nm，更优选从200至150nm。

13.根据权利要求1至12中任何一项的结构，其中中间层(如果存在)和分子筛层是由MFI沸石制成的。

14.根据权利要求13的结构，其中晶体有结晶选择定向，按这个定向c轴在上层的厚度方向上伸展。

15.根据权利要求13的结构，其中晶体有结晶选择定向，按这个定向c轴以外的一个轴在上层的厚度方向上伸展。

16.根据权利要求1至15中任何一项的结构，其中基质是多孔的。

17.根据权利要求16的结构，其中基质是α-氧化铝或多孔金属。

18.一种制造上述结构的方法，该方法包括将熔点不低于1800℃的或者不同于氧化硅的耐火材料施加到子结构上，或者在子结构中或子结构上形成耐火材料层，其中所述子结构包括上面有分子筛层的基质。

19.根据权利要求18的方法，其中借助化学气相淀积法施加或形成耐火材料。

20.根据权利要求18或权利要求19的方法制造的产品。

21.根据权利要求1至17或权利要求20中任何一项的结构，该结构呈膜状。

22.一种分离流体混合物的方法，该方法包括使混合物与根据权利要求21的结构的一个面接触并从该结构的另一面回收一种成分或多种成分的混合物，该方法的前提条件是混合物中至少有一种成分具有不同于另一种成分的通过该结构的稳定态渗透率。

23.一种催化化学反应的方法，该方法包括使原料在催化转化条件下与根据权利要求1至17或权利要求20中任何一项的处于活性催化状态的结构接触，并回收至少包括一种转化产物的组合物。

24.一种催化化学反应的方法，该方法包括使原料在催化转化条件下与根据权利要求21的处于活性催化状态的膜结构接触，并从该结构的对置面回收至少一种转化产物。

25.根据权利要求24的方法，其中转化产物处于浓缩状态，其浓度不同于它在反应混合物中的平衡浓度。