[实用新型]高速高压双极晶体管无效
| 申请号： | 96208688.6 | 申请日： | 1996-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN2247872Y | 公开（公告）日： | 1997-02-19 |
| 发明（设计）人： | 亢宝位;吴郁 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/70 | 分类号： | H01L29/70 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100022 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高速 高压 双极晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种高速高压栅辅助晶体管，包含发射区(6)、基区(1)、栅区(2)和集电区(5)，栅区由基区延伸入集电区中并具有与基区相同的半导体型号，其特征在于：在芯片平面上，基区电极引出区(10)是与栅区( 5，17)有重叠的许多孤立区域，这些孤立区域分布成列，每列中的各个引出区又相互隔开；同时，发射区(11)包围在各个基区电极引出区的周围，呈网状分布，且其内边界(16)与基区电极引出区之间具有间隔。
2.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征是：相邻两列基区电极引出区中心线之间的距离为40～500mm。
3.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征是：每列基区电极引出区中相邻两个引出区的边界之间的最小间隔距离为5-500μm。
4.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征是：发射区内边界与基区电极引出区之间的最小距离为1～100μm。
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