[实用新型]掉电保护存储器

说明书

本实用新型涉及一种计算机的存储器。

现有的存储器中，EPROM虽可改写其中内容，但常用紫外线擦除器擦除，而且擦写的次数有限一般为几十到几百次。E2PROM虽然可用电擦除，但它擦除时是分页进行的，且存取周期长，不适合高速场合，重复写的次数也只有一万至十几万次。SRAM有可随意读写更改的优点，但存在其中的数据在掉电时会全部丢失。现在许多用到RAM的场合，往往加主板电池和外电路，以保护其中的数据不丢失，但所配置的电路不是太复杂就是不可靠，在连续开关电源或有连续通断电时，由于受到尖峰脉冲的影响，其RAM中的数据会丢失若干个字节，且主板电池的寿命也只有一到两年，在更换电池时须对数据进行处理，因此给使用者带来不必要的麻烦和占用了线路板的空间。

本实用新型的目的在于提供一种存储数据量大，可经常改动，而且掉电不丢失数据的掉电保护存储器。

下面结合附图对本实用新型的实施例说明如下：附图是本实用新型的电路原理图。

本实用新型由电压监视电路，RC延时电路、电压切换开关和SRAM组成。在SRAM芯片的CS、WR端的信号线中分别申接两个逻辑门电路，所述两个逻辑门电路的控制端与上述电压监视及RC延时电路的输出端相连接，所述电压监视及RC延时电路的输入端接Vcc+5V端，电压监视器在Vcc小于4.3V时输出一个低电平，使上述逻辑门电路处于非导通状态，锁定了外来的CR和WR信号，此时SRAM处于自保护状态，在Vcc上升过程中，RC延时电路在上升到4，3V时，且延时100ms后，输出高电平，使逻辑门电路导通，SRAM对外开放。SRAM芯片的Vcc端通过上述电压切换开关与Vcc+5V端相连接，在电压降到3V时，切断外界+5V电源，接通后备电池E。上述电路的线路板和标准DIP形成背式结构，塑封构成掉电保护存储器的芯片。

所述电压监视及RC延时电路是由电压比较器IC1、稳压二极管Ds、标准电池、RC延时电路组成。电压比较器的一个输入端为电压监视及RC延时电路的输入端，电压比较器另一端接1.2V标准电池端，电压比较器输出端为电压监视及RC延时电路的输出端，RC延时电路的电阻R4一端接上述电压监视及RC延时电路的输入端，另一端接电压监视及RC延时电路的输出端，RC延时电路的电容C₁一端接电压监视及RC延时电路的输入端，另一端接地。

所述电压切换开关由二个三极管BG₁、BG₂，二个稳压二极管D₁、D₂和一个永备电池E组成。所述第一个三极管BG₁的发射极为电压切换开关的输入端，集电极为输出端，其基极通过电阻R₃与第二个三极管BG₂的集电极相连接；第二个三极管BG₂的基极通过稳压二极管D₁电阻R₁串接支路与上述电压切换开关的输入端相连接，还通过电阻R₂接地，第二个三极管BG₂的发射极接地；在上述电压切换开关的输出端与地端之间接有二极稳压管D₂和永备电池E串接支路。

本实用新型是标准DIP封装芯片，与同容量SRAM芯片管脚完全兼容，使用起来十分方便。电压切换开关产生的压降小于0.1V，同时有效地避免了电池的外泄，使电池达到了最经济的使用效果。它特别适用于数据量大且需经常改动的场合，如用在工业中的现场改程序或调试，具有使用方便，连续上电十万次的情况下数据不丢失，存入其中的数据至少保留十年以上，性能十分可靠等优点。