[实用新型]晶体管综合参数测试仪无效

专利信息
申请号: 96212495.8 申请日: 1996-06-11
公开(公告)号: CN2303306Y 公开(公告)日: 1999-01-06
发明(设计)人: 崔本柱 申请(专利权)人: 崔本柱
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 北京科龙环宇专利事务所 代理人: 张爱莲
地址: 100006 北京市宣*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 晶体管 综合 参数 测试仪
【说明书】:

实用新型属于晶体管参数的测量仪表类。

目前,检测晶体管参数的图示仪及各类综合参数测试仪,价格昂贵,不便普及;而最简单的办法之一的万用表,只能在hFE档测量,粗略测量某些参数,而且测量精度较低;办法之二的晶体管综合参数测试仪,例如,70年代生产的HQIA型测试仪,像击穿电压的测试采用交流法,通过示波器观察其反向伏安特性配合峰值电压表指示来测量,手续繁锁;80年代生产的TD-2型多用测试仪,只用一个波段开关表示测量范围,测量参数少,不能测三端稳压器。

本实用新型目的在于开发一种成本低,测量方便,便于大众普及的晶体管综合参数测试仪。

本实用新型目的是这样实现的:

一种晶体管综合参数测试仪,其特征在于在其面板上增加了直接标出晶体管各种参数和标出三端稳压器各种参数的5刀11掷位波段开关K1,并且开关K1的各刀及各掷位点分别连接着表示所测各种参数的配合使用的其他选择开关和被测晶体管及三端稳压器的管脚插座;所述其他开关有电压、电流量程k2,正反向特性选择k3,双极晶体管类型选择K4,二、三极管类型选择K5,电流范围选择k6、k7,击穿电压BV定义电流选择k8,饱和电压定义电流选择K9,BV选择K10,放大倍数倍率开关K11

结合图例,进一步说明本实用新型内容

图1本实用新型立体外形图

图2本实用新型电原理图

图3图2整理后的对应图

图中标识符如下:

K1晶体管参数选择,5刀11掷位波段开关

K2电压、电流量程,6刀11掷位波段开关

K3二极管正反向特性选择,琴键开关

K4双极晶体管类型选择,双3刀2位拨动开关

K5二、三极管类型选择,双3刀2位拨动开关

K6电流范围选择,5刀2位拨动开关

K7电流范围选择,2位乒乓开关

K8击穿电压BV定义电流选择,2刀3位拨动开关

K9饱和电压定义电流选择,2刀4位拨动开关

K10 BV选择,按钮开关

K11放大倍数倍率开关,按钮开关

图1是本实新型立体外形图。该仪器长宽高尺寸约为28×19×12Cm,重量为7市斤。可测量二极管、双极三极管、三端稳压器的各种参数,参数有放大特性(hFE、VBE)、晶体管极限参数(BVEBOBVCBO、BVCEO)、晶体管直流特性(截止状态)(lCEO、lCBO、lEBO、lCER)及晶体管开关特性(饱和状态)(VCES、VBES)。在面板标出的测量数据如下:

位于面板最右侧是晶体管参数选择开关K1,参数有hFE、VBE、BVEBO、BVCBO、BVCEO、lCEO、lCBO、lEBO、lCER、VCES、VBES各档。在BVCBO档时,还表示三端稳压器测量。

位于面板中间是电流、电压量程选择开关K2,电流测量范围有2.5、10、25、100、250、1000、2000、5000mA;电压测量范围为两种含义,当K1指向BV击穿电压时,表示测量电压范围有2000v、250v、50v;当K1指向直流电流1时,表示测量电压范围有0,500v、100v。

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