[实用新型]低噪声光电晶体阵列器件

说明书

本实用新型涉及一种低噪声光电晶体阵列器件，其为一种可拟制两光电晶体间的光扩散电流所产生的干扰的晶体阵列器件。

光电晶体阵列(Photo-transistor array)为一广泛运用于电子产品或电脑设备的电子元件。其主要功能特征是藉由其阵列中各别单一光电晶体，分别予以受光及遮光，使之产生不同的电位(受光的光电晶体为高电位，遮光则为低电位)，而可作为光源方向辩断或其他应用。

但此种应用甚广的光电晶体阵列(请参阅图4所示)，由于该形体结构，于实际运用上存在有几个缺点，其分述如下：

(1)阵列上相邻的光电晶体，于分别予以受光及遮光时，由于受光区对光源的受光无法明确的截断阻绝，因而形成受光区(2)(Base)的受光讯号模糊不明确，请参阅图5(C)部份所示。

(2)由于晶片结构关系，任相邻的光电晶体间于其受光状况下，势必产生光扩散电流，虽然此是一极微量电流，但其汇集之后(Ib＝aIb(1)+bIb(2)+cIb(3)……)或流经射极(3)(Emitter)受其放大作用，其形成一相当量的电流，则可能使原先应低于低电位之处，产生高于低电位的状况，并使S/N低落，进而导致所谓噪声干扰影响精度。

而这种缺点存在已久，现行克服之道，仅为以插置检测，藉与光源(红外线发光二极管)作匹配测定；此法虽亦可检测出较适当匹配的组合状诚，但其乃存有相当的产品不良率。

由此足见习式光电晶体阵列实施不符使用效益，而倘能予克服改善上述的弊端，而得以获致更佳的使用功效，则实为大众所期盼。

本实用新型的主要目的在于提供一种藉由光电晶体阵列本身，而可压抑任两相邻光电晶体间的光扩散电流所产生的低电位升高导致干扰及可获至一明确受光讯号的功能。

本实用新型的低噪声光电晶体阵列器件，其特征在于：

于光电晶体阵列中，任相邻光电晶体的受光区间设有一藉以阻隔光扩散电流流通的阻绝层。

所述的低噪声光电晶体阵列器件，其特征在于，所述阻绝层，为一深过硅晶片基极处的沟道。

一种低噪声光电晶体阵列器件，其特征在于，光电晶体阵列上每一光电晶体的受光区边框处环绕设有藉以使光源形成明显落差的遮断层。

所述的低噪声光电晶体阵列器件，其特征在于，所述遮断层，为一以具反射效果的物质附着框绕于受光区。

为能进一步了解本实用新型的特点、功效，具体结合实施例及附图，详细说明如下：

附图简要说明：

图1(A)、(B)为本实用新型的示意图。

图2A为本实用新型的实施例示意图。

图2B为本实用新型的电位变化示意图。

图2C为本实用新型的受光区光讯号判断示意图。

图3A为本实用新型的实施例的示意图。

图3B为本实用新型的应用示意图。

图4A、4B习式结构示意图。

图5A习式的实施例示意图。

图5B习式结构的电位变化示意图。

图5C习式受光区受光信号判断示意图。

请参阅图1所示，本实用新型的低噪声光电晶体阵列，其结构为：

一光电晶体阵列，其上分设有数个受光区2，受光区2内设有射极3，而每一受光区2的边框设有一光遮断道21；任相邻的受光区2间均设有一道电流阻绝道11予以间隔；

其中，受光区2的边框处所设的光遮断道21，是以具反射效果的金属(如金、铝系列)附着于该处；而任两受光区2间的电流阻绝道11，使于该晶体表层处形成一道过基极深及硅晶片基处极的沟道结构。

本实用新型于光电晶体阵列上，任两相邻光电晶体的受光区2间，由于设有一阻绝两受光区2的电流阻绝道11，在于其一光电晶体受光时，其所产生的光扩散电流可为电流阻绝道11所形成的断层而阻断，而光电晶体获致明确稳定的电流界限，请参阅图2(B)部分，电位变化示意图所示。

于各光电晶体的受光区2边框处所设的光遮断道21，藉由其反光作用，射于受光区2边缘处的光源，为光遮断道21所反射，至使受光区2边缘与受光区2内部受光的状况形成极大的差距，进而使受光区2获致更明显的光源落差，对讯号的判断更为精准，请参阅图2C部分，受光讯号判断示意图所示。

本实用新型的低噪声光电晶体阵，于实际应用上可针对各种功能需求而设，其可为直列式，如图3(A)部分所示；亦可为矩形阵列式结构，如图4(C)部分所示。

本实用新型的低噪声光电晶体阵列，具有如下效果：

(一)、可有效抑制噪声干扰，S/N比低落的现象，以增加元件的功能精度。