[实用新型]高性能场致发射阵列摄像管

权利要求书

1、一种高性能场致发射阵列摄像管，由基底、阴极和靶面装置组成，其特征在于阴极采用场致发射阴极结构，靶面装置由靶面、透明导电膜和玻璃构成，阴极与靶面装置之间设有由绝缘体支撑的多孔状场网。

2、根据权利要求1所述的高性能场致发射阵列摄像管，其特征在于场致发射阴极阵列的发射体采用金属锥体、半导体锥体或金刚石薄膜结构。

3、根据权利要求1所述的高性能场致发射阵列摄像管，其特征在于电子束扫描采用矩阵选址。

4、根据权利要求1、2或3所述的高性能场致发射阵列摄像管，其特征在于场致发射阴极阵列采用双门极结构，每个场致发射阴极都由发射体、下门极(栅极)和上门极(聚焦极)构成，下门极和上门极均由绝缘体支撑。

5、根据权利要求1、2或3所述的高性能场致发射阵列摄像管，其特征在于场致发射阴极阵列采用二极管结构，二极管结构由发射体金刚石薄膜与孔状电极(场网)结合形成。

6、根据权利要求1、2或3所述的高性能场致发射阵列摄像管，其特征在于透明导电膜、靶面和场网均采用工艺制备而成。

7、根据权利要求4所述的高性能场致发射阵列摄像管，其特征在于阴极阵列根据像素大小按块分布并且水平分条，下门极(栅极)的栅孔对应于阴极呈块状分布，按垂直方向分条与阴极水平分条垂直交叉。

8、根据权利要求5所述的高性能场致发射阵列摄像管，其特征在于阴极阵列根据像素大小按块分布并且水平分条，场网的矩形场网孔对应于阴极呈块状分布，按垂直方向分条与阴极水平分条垂直交叉。