[发明专利]场效应晶体管放大器无效
申请号: | 97100635.0 | 申请日: | 1997-03-12 |
公开(公告)号: | CN1075685C | 公开(公告)日: | 2001-11-28 |
发明(设计)人: | 望月拓志 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H03F3/193 | 分类号: | H03F3/193;H03F3/60 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 刘晓峰,朱进桂 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 场效应 晶体管 放大器 | ||
1.一种场效应晶体管放大器,包含:
(a)一个由三端引线环形器组成的隔离器,并在所述隔离器的中心
设置一铁氧体;
(b)一个由在所述隔离器一端的引线形成的输入端;
(c)一个虚设终端连接到在所述隔离器的其它端形成的虚设连接
端;
(d)一个场效应晶体管作为一放大器件;
(e)一个λ/2波长的同轴介质谐振装置,所述的谐振装置设置在所
述隔离器的中心导体的铁氧体的一端面与所述放大装置的输入
端中间,所述的谐振装置具有的特性阻抗小于从所述放大器的
所述输入端到放大装置的所述输入端的输入侧的阻抗,并具有
λ/2波长的介质长度,所述的谐振装置由高介质部件构成,该
部件具有一位于部件端面的中心部位,并形成具有一定长度的
柱面形状的长空间,将所述介质部件的外表面用导电材料金属
化形成一外导体,以及将所述介质部件的内表面用导电材料金
属化形成一内导体;
(f)一引线电感连接到所述放大装置的输入端,
其中,通过改变所述λ/2波长的同轴介质谐振装置的外径与内
径之比使所述放大器的阻抗与最佳噪声相匹配。
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