[发明专利]电话线接口保护部件无效
申请号: | 97102266.6 | 申请日: | 1997-01-17 |
公开(公告)号: | CN1098602C | 公开(公告)日: | 2003-01-08 |
发明(设计)人: | 埃里克·伯尼埃 | 申请(专利权)人: | SGS-汤姆森微电子公司 |
主分类号: | H04Q1/18 | 分类号: | H04Q1/18 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 范本国 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电话线 接口 保护 部件 | ||
1.一种对在线路(AB)上易于发生的过流进行保护的单片部件,线路(AB)与一个检测电阻(Rd)串联,所述部件形成在第一导电型的衬底(N)中,该衬底(N)有一个上表面和下表面,所述部件包括:
与所述电阻(Rd)的端(A,B)相连的在上表面上的第一(M1-1,M1-2)和第二(M3,M4)金属化层和与参考电压(G)相连的在下表面上的第三金属化层(M2);
在第一和第三金属化层间首尾相连的第一阴极控制极可控硅(Th1)和第二阳极控制极可控硅(Th2),第二金属化层相应于所述可控硅的控制极;
一个在第二和第三金属化层之间的雪崩二极管(Z1),所述二极管的连接使其雪崩所引起第一可控硅前向导通;其中所述第二可控硅(Th2)是控制极触发型或前向穿通型,其穿通电压基本上等于所述雪崩二极管的雪崩电压,而且其中的第一可控硅被第二导电型的扩散壁(11)绝缘。
2.权利要求1的部件,其中的第一可控硅和雪崩二极管包括:
(a)形成在衬底下表面内的第二导电型的一个(P2)层;
(b)形成在衬底上表面内的第二导电型的一个(P1)区和另一个(P7)区;
(c)分别形成在上述一个(P1)区和另一个(P7)区内的第一导电型的一个(N1)区和另一个(N7)区;
(d)在(b)中所述第二导电型的另一个(P7)区和衬底(N)之间的接合处的第一导电型的一个(N4)区;
其中第二可控硅包括:
(e)从衬底的下表面开始形成的第一导电型的一个(N11)区;
(f)从衬底的上表面开始形成的第二导电型的一个(P12)区;
(g)形成在上述(f)中的第二导电型的一个(P12)区内的第一导电型的一个(N13)区;
(h)形成在上述(g)中第一导电型的一个(N13)区内的第二导电型的一个(P14)区;和
其中第一金属化层(M1-1,M1-2)与上述(c)中第一导电型的一个(N1)区和上述(h)中第二导电型的一个(P14)区的上表面连接,第二金属化层(M3,M4)与上述(b)中第二导电型的另一个(P7)区和形成在上述(g)中的第一导电型的一个(N13)区内的一个第一导电型的接触区(N15)连接,一个金属化层(M7)使上述(b)中第二导电型的一个(P1)区和上述(c)中第一导电型的另一个(N7)区相连。
3.权利要求1的部件,还包括一个形成在所述扩散壁(11)内周边的阻沟道环(21)。
4.权利要求2的部件,还包括一个形成在上述(g)中的第一导电型的一个(N13)区内的第一导电型的接触区(N15)。
5.用于制造权利要求2的部件的方法,其中上述(f)中的第二导电型的一个(P12)区与上表面的绝缘壁同时形成,上述(d)中的第一导电型的一个(N4)区和上述(g)中的第一导电型的一个(N13)区同时形成,以及上述(b)中的第二导电型的一个(P1)区和另一个(P7)区以及上述(h)中的第二导电型的一个(P14)区同时形成。
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