[发明专利]光学存储设备无效
申请号: | 97102402.2 | 申请日: | 1997-01-31 |
公开(公告)号: | CN1099670C | 公开(公告)日: | 2003-01-22 |
发明(设计)人: | 正木功;柳茂知 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | G11B7/12 | 分类号: | G11B7/12 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 蒋世迅 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 存储 设备 | ||
本发明涉及一种采用诸如盒式MO等等的可重写介质的光学存储设备,更具体地说,是涉及用于把一个激光二极管在装载介质时的光发射功率有效地调节到一个优化功率的光学存储设备。
光盘作为近年来得到迅速发展的多媒体的主要介质的存储介质,得到了注意。例如,当考虑3.5英寸的盒式MO时,除了传统的128MB和230MB的盒式MO,近年还提供了540MB和640MB的高密度记录介质。因此,作为光盘驱动器,希望的是该光盘驱动器能够使用目前能够获得的128MB、230MB、540MB和640MB等所有介质。在近年已经得到迅速推广的个人计算机中,作为只读存储介质的紧凑盘(CD)的再现功能是不可缺少的。从空间和成本的角度看,在用于CD的光盘驱动器之外再安装用于作为可重写光盘设备的盒式MO的光盘驱动器,是困难的。在近年,既可以使用盒式MO又可以使用CD的光盘驱动器因而已经得到了开发。在这种CD/MO共同使用类型的光盘驱动器中,对于一个光学系统、一个机械结构、以及一个控制电路单元来说,它们尽可能既被用于CD又被用于盒式MO。
另一方面,在用于该光盘驱动器中的盒式MO中,介质的道被分成区,并采用了ZCAV记录(区恒定角速度记录)—其中区的扇区的数目是相等的。马达介质的区的数目在传统的128MB介质中被设定为一个区,而在230MB介质中被设定为10个区。另一方面,在已经在近年中被实际使用的540MB或640MB的高密度PWM记录介质中,与记录密度的改善相关地,介质的道间距变窄且区的数目也增大了。即,虽然540MB介质中区的数目被设定为18个,640MB介质中区的数目被设定为11个,这几乎是传统的区数的两个倍。通常,在采用盒式MO的光盘介质的情况下,由于光发射功率即每一种介质的最佳激光二极管记录功率有不同,所以当装载介质时,对每一个区都进行一个测试写入,并执行一个光发射调节,以将记录功率调节到最佳值。在传统的128MB或230MB介质中,该记录是借助坑位置调节(PPM)来进行的,且只要使激光二极管的光发射功率在一个擦除功率和一个记录功率两个电平之间改变就足够了。另一方面,在540MB或640MB的PWM记录介质中,采用了借助脉宽调制(PWM)的记录以提高记录密度。在这种脉冲串记录中,需要在一个擦除功率、一个第一写入功率、和一个第二写入功率总共三个电平之间改变激光二极管的光发射功率。因此,对于其中区的数目增大的540MB或640MB介质,如果对每一个区进行激光二极管的光发射调节,就会出现一个问题,即除了由于脉冲串记录而引起的光发射功率的种类增加之外,还需要较长的时间来进行调节。在调节激光二极管的光发射时,与实际的坑位置调节记录或PWM记录中的即时光发射相比,光发射是借助一个缺省值来驱动的,而该缺省值是借助用于其中需要调节的较长时间的固件来指定的。这实际上使得激光二极管成为直流光发射的(连续光发射)。如果借助高光发射功率来进行光发射调节,就会损坏激光二极管,且这种损坏有加速的危险。
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