[发明专利]电压和电流基准电路无效
申请号: | 97102494.4 | 申请日: | 1997-02-20 |
公开(公告)号: | CN1162191A | 公开(公告)日: | 1997-10-15 |
发明(设计)人: | 杰弗森·W·豪尔 | 申请(专利权)人: | 摩托罗拉公司 |
主分类号: | H01L21/70 | 分类号: | H01L21/70;H01L27/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 陆立英 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 电流 基准 电路 | ||
1.一种电压和电流基准电路,用于提供基准电压和基准电流,其特征在于:
一个电压基准,具有提供第一电流的第一端和第二端;
一个晶体管,具有第一电极,连接到所述电压基准第二端,一个控制电极,连接到所述电压基准第一端,和第二电极,用于提供基准电压;
一个电阻,具有第一端,连接至所述晶体管第二电极,和第二端,连接到第一电源端子,这里,所述电阻产生第二电流;
一个电流镜电路,具有一个第一端,连接到所述电压基准的第二端,和一个第二端,用于提供基准电流。
2.权利要求1的电压和电流基准电路,其特征在于,所述第一电流的量值大于所述第二电流的量值,并从所述第一电流中减去所述第二电流,使所述第一电流的剩余电流馈送至所述电流镜电路。
3.权利要求2的电压和电流基准电路,其特征在于,所述电压基准为一个带隙电压基准。
4.权利要求3的电压和电流基准电路,其特征在于,所述电压基准的特征在于:
一个第一电阻,具有第一端和第二端;
一个第一导电型的第一晶体管,具有第一电极,连接到所述第一电阻第二端,以及一个控制电极和一个第二电极;
一个第二电阻,具有第一端连接到所述第一晶体管第二电极,和第二端,连接到所述第一电源端子;
一个第二晶体管,具有所述第一导电型,具有一个第一电极和一个控制电极,共同连接到所述第一晶体管控制电极,以及一个第二电极,连接到所述第一电源端子;
一个第三电阻,具有第一端,连接到所述第一电阻第一端,和第二端,连接到所述第二晶体管第一电极;
一个第三晶体管,具有所述第一导电型,具有一个第一电极,一个控制电极,连接到所述电压基准第一端,和一个第二电极,连接到所述第一电阻第一端;
一个第四晶体管,具有所述第一导电型,具有一个第一电极,连接到所述第三晶体管控制电极,一个控制电极,连接到所述第一电阻第二端,和一个第二电极,连接到所述第一电源端子;
一个第五晶体管,具有第二导电型,具有第一电极和控制电极,共同连接到所述第三晶体管第一电极,以及第二电极,连接到第二电源端子;
一个第六晶体管,具有所述第二导电型,具有第一电极,连接到所述第三晶体管控制电极;控制电极,连接到所述第五晶体管控制电极;和第二电极,连接到所述第二电源端子;
一个第七晶体管,具有所述第二导电型,具有第一电极,连接到所述电压基准第二端;控制电极,连接到所述第五晶体管控制电极;和第二电极,连接到所述第二电源端子;
5.按照权利要求4的电压和电流基准电路,其特征在于,所述电压基准的所述第一和第二晶体管为双极型晶体管,这里,所述第一晶体管的导电区为所述第二晶体管导电区的N倍。
6.按照权利要求5的电压和电流基准电路,其特征在于,所述电流镜电路包括:
一个第一晶体管,具有所述第一导电型,具有第一电极和控制电极,共同接至所述电流镜像电路第一端,以及第二电极,接至所述第一电源端子;
一个第二晶体管,具有所述第一导电型,具有第一电极,接至所述电流镜电路第二端;控制电极,接至所述第一晶体管控制电极;和第二电极,接至所述第一电源端子。
7.按照权利要求6的电压和电流基准电路,其特征在于,所述的电流镜电路还包括一个电阻,接在所述电流镜电路第一端和所述第一晶体管第一电极之间。
8.按照权利要求6的电压和电流基准电路,其特征在于,所述的电流镜电路还包括一个二极管,该二极管的阳极接至所述电流镜电路的第一端,而阴极接至所述第一晶体管的第一电极。
9.一种用于产生基准电压和基准电流的方法,其特征在于,包括以下步骤:
产生一个基准电压;
产生具有已知温度系数的一个第一电流;
将所述基准电压加给一个电阻以产生一个第二电流;
从所述第一电流中减去所述第二电流,这里,所述第二电流可抵消因温度引起的所述第一电流的变化;
提供出所述第一电流的剩余电流,作为具有低温度系数的一个基准电流。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造