[发明专利]运算放大电路无效
申请号: | 97102818.4 | 申请日: | 1997-02-22 |
公开(公告)号: | CN1084085C | 公开(公告)日: | 2002-05-01 |
发明(设计)人: | 山田敏己;大竹久雄 | 申请(专利权)人: | 冲电气工业株式会社 |
主分类号: | H03F3/30 | 分类号: | H03F3/30;H03F3/45 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张志醒,王忠忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 运算 放大 电路 | ||
1.一种运算放大电路,包括:
第一差分放大电路,具有一个其栅极与第一输入端相连的N沟道MOS晶体管和一个其栅极与第二输入端相连的N沟道MOS晶体管,它根据所述第一和第二输入端之间的电压差输出一电压:
第二差分放大电路,具有一个其栅极与所述第一输入端相连的P沟道MOS晶体管和一个其栅极与所述第二输入端相连的P沟道MOS晶体管,它根据所述第一和第二输入端之间的电压差输出一电压;
第一电平移动电路,具有一个其栅极加有从所述第一差分放大电路输出电压的P沟道MOS晶体管和一个N沟道MOS晶体管,且输出通过移动加到P沟道MOS晶体管上的电压电平而获得的一电压。
第二电平移动电路,具有一个其栅极加有从所述第二差分放大电路输出电压的N沟道MOS晶体管和一个P沟道MOS晶体管,且输出通过移动加到N沟道MOS晶体管上的电压电平而获得的一电压。
第一电流源,对所述第一电平移动电路中的N沟道MOS晶体管提供第一预定强度的电流;
第二电流源,对所述第二电平移动电路中的P沟道MOS晶体管提供第二预定强度的电流;
输出电路,具有一个其栅极加有从所述第一电平移动电路输出电压的P沟道MOS晶体管和一个其栅极加有从所述第二电平移动电路输出电压的N沟道MOS晶体管,且根据所述P沟道MOS晶体管和所述N沟道MOS晶体管的状态输出一电压。
2.一种运算放大电路,包括:
第一差分放大电路,具有一个其栅极与第一输入端相连的N沟道MOS晶体管和一个其栅极与第二输入端相连的N沟道MOS晶体管,它根据所述第一和第二输入端之间的电压差输出与所述电压差同相位的一电压;
第二差分放大电路,具有一个其栅极与所述第一输入端相连的N沟道MOS晶体管和一个其栅极与所述第二输入端相连的N沟道MOS晶体管,它根据所述第一和第二输入端之间的电压差输出与所述电压差反相的一电压;
电平移动电路,具有一个其栅极加有从所述第一差分放大电路输出电压的P沟道MOS晶体管和一个N沟道MOS晶体管,且输出通过移动加到P沟道MOS晶体管上的电压电平而获得的一电压;
电流源,对所述电平移动电路中的N沟道MOS晶体管提供预定强度的电流;
输出电路,具有一个其栅极加有从所述第二差分放大电路输出电压的P沟道MOS晶体管和一个其栅极加有从所述电平移动电路输出电压的N沟道MOS晶体管,且根据所述P沟道MOS晶体管和所述N沟道MOS晶体管的状态输出一电压;
第一相位补偿电路,由一电容和三个MOS晶体管组成,设置在所述第二差分放大电路与所述输出电路之间;
第二相位补偿电路,由一电容和三个MOS晶体管组成,设置在所述第一差分放大电路与所述输出电路之间。
3.根据权利要求1的运算放大电路,其特征在于还包括:
省电电路,当将预定的控制信号输入时,通过改变加到所述输出电路中的N沟道MOS晶体管栅极的电压来控制该N沟道MOS晶体管,使其处于截止状态;并通过改变加到所述输出电路中的P沟道MOS晶体管栅极的电压来控制该P沟道MOS晶体管,使其处于截止状态。
4.根据权利要求2的运算放大电路,其特征在于还包括:
省电电路,当将预定的控制信号输入时,通过改变加到所述输出电路中的N沟道MOS晶体管栅极的电压来控制该N沟道MOS晶体管,使其处于截止状态;并通过改变加到所述输出电路中的P沟道MOS晶体管栅极的电压来控制该P沟道MOS晶体管,使其处于截止状态。
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