[发明专利]反熔断元件及其制造方法

权利要求书

1.一种反熔断元件，其特征在于包括：绝缘膜上形成的第一配线层；所述第一配线层的平整区域上形成的平整的下部电极层；所述下部电极层上形成的平整的反熔断层；所述反熔断层上形成的上部电极层；与所述上部电极层连接的第二配线层。

2.如权利要求1所述的反熔断元件，其特征在于，反熔断层具有均匀厚度。

3.如权利要求1所述的反熔断元件，其特征在于，反熔断层由非晶体硅膜、氮化硅膜和氧化硅膜构成。

4.如权利要求1所述的反熔断元件，其特征在于，下部电极层上顺序淀积氮化硅膜、非晶体硅膜和氧化硅膜，构成反熔断层。

5.如权利要求1所述的反熔断元件，其特征在于，上部电极层和下部电极层各自的厚度比在所述上部电极层与所述下部电极层之间加电压后在反熔断层中形成的导电通路进入到所述上部电极层和所述下部电极层的部分的长度要厚。

6.如权利要求1所述的反熔断元件，其特征在于，上部电极层和下部电极层为氮化钛膜。

7.一种反熔断元件，其特征在于包括：绝缘膜上形成的第一配线层；所述第一配线层的平整区域上形成的平整的下部电极层；形成于所述下部电极层上、淀积多层绝缘膜且形成均匀厚度的反熔断层；覆盖所述反熔断层、所述下部电极层和所述第一配线层，并在所述反熔断层上具有第一开口的电极间分隔绝缘膜；覆盖所述第一开口部分形成的上部电极层；具有使所述上部电极层一部分露出的第二开口的层间绝缘膜；通过所述层间绝缘膜的所述第二开口与所述上部电极层连接形成的第二配线层；其中，所述电极间分隔绝缘膜的厚度比所述层间绝缘膜的厚度薄。

8.如权利要求7所述的反熔断元件，其特征在于，电极间分隔绝缘膜的第一开口具有从反熔断层一侧朝向与之相对一侧变宽的斜坡形状，位于所述电极间分隔绝缘膜的所述第一开口形成的起落交界部的上部电极层，其最薄部分的膜厚在所述上部电极层最厚部分膜厚的80％至90％范围内。

9.一种反熔断元件制造方法，其特征在于包括：在绝缘膜上形成第一配线层的工序；在所述第一配线层的平整区域上形成平整的下部电极层的工序；在所述下部电极层上形成平整的反熔断层的工序；覆盖所述第一配线层、所述下部电极层和所述反熔断层形成电极间分隔绝缘膜的工序；所述电极间分隔绝缘膜形成到达所述反熔断层的开口的工序；覆盖所述电极间分隔绝缘膜开口部分形成上部电极层的工序。

10.如权利要求9所述的反熔断元件制造方法，其特征在于，形成反熔断层的工序包括：在下部电极层上形成氮化硅膜的工序；形成非晶体硅膜的工序；形成氧化硅膜的工序。

11.如权利要求10所述的反熔断元件制造方法，其特征在于，形成氧化硅膜的工序为通过等离子氧化在非晶体硅膜表面形成氧化硅膜的工序。

12.如权利要求10所述的反熔断元件制造方法，其特征在于，电极间分隔绝缘膜形成了到达非晶体硅膜的开口后，对所述非晶体硅膜表面进行等离子氧化，形成氧化硅膜。

13.如权利要求9所述的反熔断元件制造方法，其特征在于，电极间分隔绝缘膜形成到达反熔断层的开口的工序包括：在所述电极间分隔绝缘膜上有选择地形成蚀刻掩模的工序；湿蚀刻后进行干蚀刻的工序。

14.如权利要求12所述的反熔断元件制造方法，其特征在于，对非晶体硅膜表面进行等离子氧化的工序，是利用在氧等离子体中进行处理的方法，在除去电极间分隔绝缘膜形成开口所用的抗蚀剂膜的同时，由所述氧等离子体对所述非晶体硅膜表面进行氧化的工序。