[发明专利]单片集成传感器电路

权利要求书

1.一种单片集成传感器电路，包括：

-一个传感器系统(100)，用于产生一个电子传感器信号(u1)；

-一个馈电单元(400)，对该传感器系统(100)馈电；

-一个放大装置(200)，用于放大上述传感器信号(u1)；

-若干倒相器件(310，320，330，340)，位于上述放大装置(200)的信号通路中，它们利用来自一个时钟源的切换时钟(t1，t2)，在相等时间间隔(b1，b2)上反转上述传感器信号的极性；以及

-一个平均合并器级(240)，该平均合并器级(240)的输入端接收一个被放大的传感器信号(u4)，并且该平均合并器级(240)的输出端拥有一个参考极性，该参考极性由上述倒相器件(310，320，330，340)控制，控制的方式是使得不管信号通路上的切换状态如何参考极性总是相同的。

2.根据权利要求1所述的传感器电路，其特征在于传感器系统(100)包括一个差动传感器系统(110，130)。

3.根据权利要求1所述的传感器电路，其特征在于传感器系统包括一个霍尔传感器系统。

4.根据权利要求3所述的传感器电路，其特征在于霍尔传感器系统中的电流方向和/或测量电压方向能够以相对于由上述霍尔传感器系统预先设定的一个基本方向变化90度的整数倍的量来被改变。

5.根据权利要求4所述的传感器电路，其特征在于传感器信号通路实质上是对称的。

6.根据权利要求4所述的传感器电路，其特征在于放大装置(200)包括这样一个调节电路(620，640)，它将上述对称信号通路的工作点稳定在一个预先设定的电压电平上。

7.根据权利要求1所述的传感器电路，其特征在于通过一种CMOS制造过程被单片集成。

8.根据权利要求6所述的传感器电路，其特征在于放大装置(200)是一个这样的反馈运算放大器装置，它的输入电阻由被连接至那里之霍尔片的内阻形成，并且它的反馈电阻或多个反馈电阻(R1，R2)由与霍尔片(110)相同的半导体材料形成。

9.根据权利要求7或8的任一权利要求所述的传感器电路，其特征在于放大装置(200)和/或合并器级(240)包括一个跨导放大器。

10.根据权利要求9所述的传感器电路，其特征在于合并器级(240)中的跨导放大器拥有容性反馈，所获的时间常数至少与切换时钟(t1，t2)的非重叠部分(b3)一样大。