[发明专利]介电陶瓷及采用该材料的独石陶瓷电子元件无效
| 申请号： | 97103131.2 | 申请日： | 1997-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN1097833C | 公开（公告）日： | 2003-01-01 |
| 发明（设计）人： | 和田信之;田中秀彦;浜地幸生;佐野晴信 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李湘 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷 采用 材料 电子元件 | ||
1.一种介电陶瓷，其特征在于包含由最大粒径为0.5微米而平均粒径为0.1-0.3微米的许多微粒组成的烧结压块，所述多个微粒的每一个都具有均匀的组份和均匀的晶系，并且各个微粒具有相同的组份和晶系。
2.如权利要求1所述的介电陶瓷，其特征在于进一步包含组份与所述微粒不同的晶界相。
3.如权利要求2所述的介电陶瓷，其特征在于所述晶界相的厚度小于5纳米。
4.如权利要求1所述的介电陶瓷，其特征在于所述最大粒径为0.4微米而平均粒径介于0.15-0.25微米之间。
5.如权利要求4所述的介电陶瓷，其特征在于进一步包含组份与所述微粒不同的晶界相。
6.一种独石陶瓷电子元件，其特征在于包含：
陶瓷层，它包含由最大粒径为0.5微米而平均粒径为0.1-0.3微米的许多微粒组成的烧结陶瓷压块，所述多个微粒的每一个都具有均匀的组份和均匀的晶系，并且各个微粒具有相同的组份和晶系；以及
与所述陶瓷层相连的第一导体。
7.如权利要求6所述的独石陶瓷电子元件，其特征在于进一步包含与所述第一导体相连并且可以从所述元件外部访问的第二导体。
8.如权利要求7所述的独石陶瓷电子元件，其特征在于进一步包含组份与所述微粒不同的晶界相。
9.如权利要求8所述的独石陶瓷电子元件，其特征在于所述晶界相的厚度小于5纳米。
10.如权利要求6所述的独石陶瓷电子元件，其特征在于所述第一导体由非贵重金属组成。
11.如权利要求10所述的独石陶瓷电子元件，其特征在于所述陶瓷为非还原陶瓷。
12.如权利要求7所述的独石陶瓷电子元件，其特征在于所述最大粒径为0.4微米而所述平均粒径介于0.15-0.25微米。
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