[发明专利]生产量子分裂磷光体和新的组合物的方法

权利要求书

1.生产主晶格被三价镨离子活化的量子分裂磷光体的方法，该方法由下列几步构成：

使主晶格中的三价镨离子4f5d能带的能量位置在¹S₀能态以上，

使三价镨离子的4f5d能带和¹S₀能态低于主晶格的传导能带，

选择主晶格中三价镨离子的对称位置，以产生量子分裂磷光体，

所述主晶格是氧化物主晶格或卤化物主晶格或卤氧化物主晶格，

所述氧化物的主晶格中三价镨离子到氧的平均键距大于约2.561埃，

所述卤化物主晶格中三价镨离子到卤化物的平均键距大于约2.28埃，

所述主晶格具有大于5eV的带隙。

2.根据权利要求1的方法，其中主晶格中三价镨离子到氧的平均键距大于约2.561埃的氧化物选自SrAl₁₂O₁₉，LaMgB₅O₁₀，LaB₃O₆及其混合物。

3.根据权利要求1的方法，其中主晶格中三价镨离子到卤化物的平均键距大于约2.28埃的卤化物选自YF₃，LaF₃，NaYF₄，LaCl₃及其混合物。

4.根据权利要求1的方法，其中选择对于三价镨离子的主晶格的对称位置，使磷光体可以产生最大的量子效率。

5.具有被三价镨离子活化的主晶格的量子分裂磷光体，其中保持三价镨离子-配体键的共价性，使4f5d的能带的重力中心或者三价镨离子的裸露中心水平位于¹S₀水平之上，而且主晶格具有大于约5eV的带隙，其中主晶格是氧化物或卤化物或卤氧化物，其中卤化物主晶格中三价镨离子到卤化物的平均键距大于约2.28埃，其中氧化物的主晶格中三价镨离子到氧的平均键距大于约2.561埃。